[发明专利]晶片加工方法

说明书

技术领域

本发明涉及晶片加工方法，该晶片加工方法针对在由间隔道划分而成的多个区域中形成有器件的晶片，沿着间隔道将所述晶片分割成各个器件，其中，所述间隔道以格子状形成在所述晶片的正面。

背景技术

在半导体器件制造工序中，在大致圆板形状的半导体晶片的表面上，利用呈格子状排列的被称为间隔道的分割预定线划分为多个区域，在该划分而成的区域中形成IC、LSI等器件。并且，通过沿着间隔道切断半导体晶片，来分割形成有器件的区域，从而制造各个器件。此外，对于在蓝宝石基板或碳化硅基板的表面层叠有氮化镓类化合物半导体等的光器件晶片，也是沿着间隔道切断该光器件晶片，由此分割成各个发光二极管、激光二极管等光器件，从而广泛利用于电气设备。

上述沿着间隔道针对半导体晶片和光器件晶片等的切断通常是借助被称为划片机（dicer）的切削装置来进行的。该切削装置具备：卡盘台，其保持半导体晶片或光器件晶片等被加工物；切削单元，其用于对保持在该卡盘台上的被加工物进行切削；以及切削进给单元，其使卡盘台和切削单元相对地移动。切削单元包括旋转轴、安装于该轴上的切削刀具、以及对旋转轴进行旋转驱动的驱动机构。切削刀具由圆盘状的基台和安装在该基台的侧面外周部的环状切削刃构成，关于切削刃，例如通过电铸将粒径为3μm左右的金刚石磨粒固定于基台，并形成为15μm左右的厚度。（例如，参照专利文献1。）

然而，由于切削刀具具有15μm左右的厚度，因此，作为对器件进行划分的分割预定线，其宽度需要为50μm左右。因此，在例如大小为1mm×1mm左右的器件的情况下，存在以下问题：间隔道所占的面积比例变大，生产性不佳。此外，存在以下问题：当利用切削刀具切断晶片时，在切断面的下表面侧产生缺损，器件的品质降低。

另一方面，近年来，作为对半导体晶片等板状被加工物进行分割的方法，尝试了以下的激光加工方法：利用对于晶片具有透射性的波长的脉冲激光光线，将聚光点对准所要分割的区域的内部而照射脉冲激光光线。利用了该激光加工方法的分割方法从晶片的一个表面侧，以聚光点对准内部的方式，沿着间隔道对晶片照射对于晶片具有透射性的波长的脉冲激光光线，在晶片的内部沿着间隔道连续地形成改性层，沿着由于形成该改性层而强度降低的间隔道施加外力，由此将晶片分割成各个器件。（例如，参照专利文献2。）

专利文献1：日本特开2002-66865号公报。

专利文献2：日本特许第3408805号公报。

在上述专利文献2公开的晶片加工方法中，沿着在晶片的第1方向上形成的间隔道在内部形成第1改性层，之后，沿着在与第1方向垂直的第2方向上形成的间隔道在内部形成第2改性层，此时，存在以下问题：在交叉部处，沿着在第2方向上形成的间隔道而定位于内部的脉冲激光光线的聚光点被第1改性层阻断，在交叉部处无法将第2改性层形成足够的厚度，在沿着形成有改性层的间隔道施加外力来将晶片分割成各个器件时，在器件上产生缺损。

发明内容

本发明是鉴于上述实际情况而完成的，其主要技术课题在于提供一种晶片加工方法，其能够减小晶片上形成的间隔道的宽度，并且能够在器件不产生缺损的情况下进行分割。

为了解决上述主要的技术课题，根据本发明，提供一种晶片加工方法，针对在由间隔道划分而成的多个区域中分别形成有器件的晶片，沿着间隔道对所述晶片进行分割，其中，所述间隔道以格子状形成在所述晶片的正面，

其特征在于，该晶片加工方法包括：

保护部件粘贴工序，在晶片的正面粘贴保护部件；

分割槽形成工序，从晶片的背面侧沿着间隔道定位切削刀具，在与间隔道对应的区域中，以保留预定厚度的方式形成未到达正面的分割槽；

晶片支承工序，将实施了该分割槽形成工序后的晶片的背面粘贴到安装于环状框架的划片带上，并且剥离该保护部件；以及

晶片分割工序，对实施了该晶片支承工序而粘贴于该划片带上的晶片施加外力，沿着形成有分割槽的间隔道将晶片分割成各个器件。

优选的是，在实施所述保护部件粘贴工序之后，实施分割槽形成工序之前实施背面磨削工序，在该背面磨削工序中，对晶片的背面进行磨削，将晶片形成为器件的完成厚度。