[发明专利]一种红外与毫米波分频微纳米结构薄膜器件有效
申请号: | 201310407841.X | 申请日: | 2013-09-10 |
公开(公告)号: | CN103466538A | 公开(公告)日: | 2013-12-25 |
发明(设计)人: | 刘华松;冷健;庄克文;季一勤;姜玉刚;王利栓 | 申请(专利权)人: | 中国航天科工集团第三研究院第八三五八研究所 |
主分类号: | B81B7/00 | 分类号: | B81B7/00 |
代理公司: | 中国兵器工业集团公司专利中心 11011 | 代理人: | 刘东升;张宏亮 |
地址: | 300308 天津市*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 红外 毫米波 分频 纳米 结构 薄膜 器件 | ||
1.一种红外与毫米波分频微纳米结构薄膜器件,其特征在于,所述器件自下而上包括基底、第一介质薄膜、金属薄膜和第二介质薄膜;所述基底的厚度为(4.25/n)mm,n表示基底的材料在毫米波段的折射率;所述第一介质薄膜与第二介质薄膜的厚度相同,均为20~50nm;所述金属薄膜最小厚度的设计依据为:保证红外光波不能透射到所述金属薄膜与第一介质薄膜的界面;所述红外光波从所述第二介质薄膜的上表面入射实现红外与毫米波频率分离。
2.如权利要求1所述的器件,其特征在于,所述基底的材料为在毫米波段透明的材料。
3.如权利要求2所述的器件,其特征在于,所述基底的材料为陶瓷、硫化锌、蓝宝石或熔融石英。
4.如权利要求1所述的器件,其特征在于,n表示基底材料在8.5mm波的折射率。
5.如权利要求1所述的器件,其特征在于,所述第一介质薄膜的材料为Al2O3或ZnS,所述第二介质薄膜的材料与第一介质薄膜相同。
6.如权利要求1所述的器件,其特征在于,所述金属薄膜的材料为金或银,厚度为[100,150]nm。
7.如权利要求1~6中任一项所述的器件,其特征在于,所述基底上包覆有中波红外导电膜。
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