[发明专利]聚偏氟乙烯薄膜的极化工艺无效
申请号: | 201310406937.4 | 申请日: | 2013-09-10 |
公开(公告)号: | CN104425704A | 公开(公告)日: | 2015-03-18 |
发明(设计)人: | 龚伶 | 申请(专利权)人: | 龚伶 |
主分类号: | H01L41/45 | 分类号: | H01L41/45 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 610000 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 聚偏氟 乙烯 薄膜 极化 工艺 | ||
1.聚偏氟乙烯薄膜的极化工艺,其特征在于,包括以下步骤:
步骤一、在聚偏氟乙烯薄膜的一个面上蒸镀厚度为90~100nm的银作为金属电极;
步骤二、将镀有金属电极的聚偏氟乙烯薄膜置于加热器内,聚偏氟乙烯薄膜镀有金属电极的一面向下并接地,在聚偏氟乙烯薄膜上方设置网格电极,再在网格电极上方设置铜电极针,其中,铜电极针下端和网格电极均位于加热器内;
步骤三、将加热器内温度调至50~60℃,并向网格电极通5KV电压,向铜电极针通15KV电压,持续3~5min;
步骤四、停止加热和通电,并将极化后的聚偏氟乙烯薄膜取出放入干燥器内。
2.根据权利要求1所述的聚偏氟乙烯薄膜的极化工艺,其特征在于,所述聚偏氟乙烯薄膜上银电极的厚度为95nm。
3.根据权利要求1所述的聚偏氟乙烯薄膜的极化工艺,其特征在于,所述网格电极与聚偏氟乙烯薄膜的间距为1.5cm,所述铜电极针与网格电极的间距为3.5cm。
4.根据权利要求1所述的聚偏氟乙烯薄膜的极化工艺,其特征在于,所述加热器和铜电极针均设于屏蔽金属丝罩内。
5.根据权利要求1~4中任意一项所述的聚偏氟乙烯薄膜的极化工艺,其特征在于,所述加热器内温度为55℃,持续时间为4min。
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