[发明专利]聚偏氟乙烯薄膜的极化工艺无效

专利信息
申请号: 201310406937.4 申请日: 2013-09-10
公开(公告)号: CN104425704A 公开(公告)日: 2015-03-18
发明(设计)人: 龚伶 申请(专利权)人: 龚伶
主分类号: H01L41/45 分类号: H01L41/45
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 610000 四川*** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 聚偏氟 乙烯 薄膜 极化 工艺
【权利要求书】:

1.聚偏氟乙烯薄膜的极化工艺,其特征在于,包括以下步骤:

步骤一、在聚偏氟乙烯薄膜的一个面上蒸镀厚度为90~100nm的银作为金属电极;

步骤二、将镀有金属电极的聚偏氟乙烯薄膜置于加热器内,聚偏氟乙烯薄膜镀有金属电极的一面向下并接地,在聚偏氟乙烯薄膜上方设置网格电极,再在网格电极上方设置铜电极针,其中,铜电极针下端和网格电极均位于加热器内;

步骤三、将加热器内温度调至50~60℃,并向网格电极通5KV电压,向铜电极针通15KV电压,持续3~5min;

步骤四、停止加热和通电,并将极化后的聚偏氟乙烯薄膜取出放入干燥器内。

2.根据权利要求1所述的聚偏氟乙烯薄膜的极化工艺,其特征在于,所述聚偏氟乙烯薄膜上银电极的厚度为95nm。

3.根据权利要求1所述的聚偏氟乙烯薄膜的极化工艺,其特征在于,所述网格电极与聚偏氟乙烯薄膜的间距为1.5cm,所述铜电极针与网格电极的间距为3.5cm。

4.根据权利要求1所述的聚偏氟乙烯薄膜的极化工艺,其特征在于,所述加热器和铜电极针均设于屏蔽金属丝罩内。

5.根据权利要求1~4中任意一项所述的聚偏氟乙烯薄膜的极化工艺,其特征在于,所述加热器内温度为55℃,持续时间为4min。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于龚伶,未经龚伶许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310406937.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top