[发明专利]有机发光显示装置在审
申请号: | 201310406879.5 | 申请日: | 2013-09-09 |
公开(公告)号: | CN103681759A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
发明(设计)人: | 金桓镇 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 余朦;王艳春 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及有机发光显示装置。
背景技术
有机发光显示装置包括由空穴注入电极、有机发光层以及电子注入电极构成的有机发光器件。每个有机发光器件根据由电子和空穴在有机发光层内部结合而成的激子(exciton)从激发态跃迁至基态时所产生的能量而进行发光。有机发光显示装置通过利用上述的发光现象显示预定的影像。
包括如上所述的有机发光器件的有机发光面板被设置在外部套件的内部。为了防止有机发光面板因受到外部冲击而受损的现象,在外部套件和有机发光面板之间设置有冲击吸收层。
然而,即使设置冲击吸收层,在容易受到外部冲击影响的有机发光面板的周围部的密封部件部分也经常发生受损现象。
发明内容
本发明的目的在于,提供一种即使受到外部冲击也不会受损的有机发光显示装置。
在根据本发明一实施例的有机发光显示装置包括:显示基板;有机发光器件,形成在所述显示基板上;封装部件,用于覆盖所述有机发光器件;密封部件,形成在所述显示基板的周围部和所述封装部件的周围部之间;以及冲击吸收层,形成在所述显示基板的下部;在所述冲击吸收层中冲击吸收剂所占的面积比率可以随着从所述显示基板的周围部越往中心部而增加。
所述冲击吸收层可以包括:中心冲击吸收层,形成在与所述显示基板的中心部对应的位置;以及周围冲击吸收层,形成在与所述显示基板的周围部对应的位置,并且其冲击吸收率大于所述中心冲击吸收层的冲击吸收率。
所述中心冲击吸收层包括所述冲击吸收剂,所述周围冲击吸收层可以包括所述冲击吸收剂以及形成在所述冲击吸收剂上的缓冲开口部。
所述缓冲开口部可以是多个缓冲孔。
在所述周围冲击吸收层中所述多个缓冲孔所占的面积比率可以随着从所述周围冲击吸收层的外围部越往所述周围冲击吸收层的内侧部而减小。
所述多个缓冲孔的尺寸可以随着从所述周围冲击吸收层的外围部越往所述周围冲击吸收层的内侧部移动而减小。
所述多个缓冲孔之间的孔间隔可以随着从所述周围冲击吸收层的外围部越往所述周围冲击吸收层的内侧部而增加。
所述缓冲开口部可以是多个缓冲开口线。
在所述周围冲击吸收层中所述多个缓冲开口线所占的面积比率可以随着从所述周围冲击吸收层的外围部越往所述周围冲击吸收层的内侧部移动而减小。
所述多个缓冲开口线的宽度可以随着从所述周围冲击吸收层的外围部越往所述周围冲击吸收层的内侧部而减小。
所述多个缓冲开口线之间的开口线间隔可以随着从所述周围冲击吸收层的外围部越往所述周围冲击吸收层的内侧部而增加。
所述中心冲击吸收层包括高密度冲击吸收剂,所述周围冲击吸收层可以包括低密度冲击吸收剂。
所述低密度冲击吸收剂的所占面积比率随着从所述周围冲击吸收层的外围部越往所述周围冲击吸收层的内侧部而减小。
所述高密度的冲击吸收剂可以为聚对苯二甲酸乙二酯、聚氨酯、聚苯乙烯、聚丙烯中的一种。
所述低密度的冲击吸收剂可以为多孔型聚丙烯、多孔型聚氨酯、多孔型丙烯酸中的一种。
所述周围冲击吸收层可以与所述密封部件重叠,所述周围冲击吸收层的宽度可以大于所述密封部件的宽度。
在根据本发明一实施例的有机发光显示装置中,在冲击吸收层中冲击吸收剂所占的面积比率随着从与显示基板的周围部对应的位置越往与中心部对应的位置而增加,从而周围冲击吸收层的外围部的冲击吸收率大于中心冲击吸收层的冲击吸收率,由此可以防止容易受到外部冲击影响的显示基板的周围部受损的现象。
附图说明
图1根据本发明第一实施例的有机发光显示装置的截面图。
图2是根据本发明第一实施例的有机发光显示装置的等效电路图。
图3是根据本发明第一实施例的有机发光显示装置的冲击吸收层的立体图。
图4是图3的冲击吸收层的平面图。
图5是图4中的A部分的放大图。
图6是根据本发明第二实施例的有机发光显示装置的冲击吸收层的平面图。
图7是图6中的B部分的放大图。
图8是根据本发明第三实施例的有机发光显示装置的冲击吸收层的平面图。
附图标记说明
50:冲击吸收层; 51:冲击吸收剂;
52:缓冲开口部; 310:密封部件;
C:中心冲击吸收层;D:周围冲击吸收层。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的