[发明专利]一种低噪声放大电路

说明书

 

技术领域

本发明涉及一种放大电路，具体涉及一种低噪声放大电路。

背景技术

随着电路集成度的提高，衬底耦合噪声变得越来越严重，单端放大器等对衬底耦合没有抑制能力，衬底耦合会极大影响低噪声放大器的性能，最终大大恶化系统接收机的性能，传统的单端输入输出低噪声放大器不能很好地解决输出信号中增益、幅度、相位之间的失配问题，噪声失配严重，功耗大。

故，需要一种新的技术方案来解决上述问题。

发明内容

发明目的：针对上述现有存在的问题和不足，本发明的目的是提供一种低噪声放大电路，其结构简单。

技术方案：为实现上述发明目的，本发明采用的技术方案为：一种低噪声放大电路，该电路包括三极管、场效应管、电阻和电容，所述三极管将电流分别传送至第二场效应管的漏极与第三场效应管的漏极，该三极管的集电极通过第五电阻与基极相连，该基极通过第六电阻接地；第三场效应管的栅极通过第一电容与第二场效应管的栅极相连，第二场效应管的栅极与第三场效应管的源极分别通过一电阻接地；第二场效应管的源极通过第一电阻和第二电阻的串联接地；第三场效应管的栅极为输入端，三极管的集电极为输出端。

本发明利用三极管构成一跟随单元，两个场效应管构成倒相电压放大单元，输入电压通过该放大单元进行放大，放大后的信号通过跟随单元进行输出。由于跟随单元，整个电路的中频区源电压增益近似等于共源电路的电压增益，因而消除了密勒效应，使得上限频率提高。

优选的，三极管的集电极通过第三电容接入正电压。

优选的，第六电阻两端并联有第四电容。

优选的，第二场效应管的漏极与第三场效应管的漏极通过第五电容相连。

优选的，第二电阻的两端并联有第二电容。

优选的，第二场效应管与第三场效应管均采用结型场效应管。

有益效果：本发明采用结型场效应管，其噪声低，且能与高内阻的信号源相匹配，适用范围广，同时采用三极管构成跟随器，避免密勒效应，提高上限频率，较小噪声失配。

附图说明

图1为本发明的电路图。

具体实施方式

如图1所示，本发明包括三极管、场效应管、电阻和电容，三极管Q1的集电极通过第三电容C3接入正电压，该三极管Q1将电流分别传送至第二场效应管Q2的漏极与第三场效应管Q3的漏极，该三极管Q1的集电极通过第五电阻R5与基极相连，该基极通过第六电阻R6接地，该第六电阻R6两端并联有第四电容C4；第三场效应管Q3的栅极通过第一电容C1与第二场效应管Q2的栅极相连，第二场效应管Q2的栅极与第三场效应管Q3的源极分别通过一电阻接地，第二场效应管Q2的漏极与第三场效应管Q3的漏极通过第五电容C5相连；第二场效应管Q2的源极通过第一电阻R1和第二电阻R2的串联接地，第二电阻R2的两端并联有第二电容C2；第三场效应管Q3的栅极为输入端，三极管Q1的集电极为输出端。

第二场效应管Q2与第三场效应管Q3均采用结型场效应管。

本发明结构简单，采用结型场效应管，噪声低，且能与高内阻的信号源相匹配，适用范围广，同时采用三极管构成跟随器，避免密勒效应，提高上限频率，较小噪声失配。