[发明专利]一种LED高亮度倒装芯片以及制作方法

权利要求书

1.一种LED高亮度倒装芯片，包括衬底，成形在所述衬底上、且由N型导电层、发光层和P型导电层组成的外延层，分别与N型导电层和P型导电层电连接的N型电极和P型电极，和具有N型、P型导电区域的散热基片，所述N型电极和P型电极分别与所述散热基片的N型导电区域和P型导电区域电连接，所述衬底背面作为所述倒装芯片的出光面，其特征在于，所述倒装芯片包括DBR反射层，所述DBR反射层成形在所述倒装芯片上，所述P型电极贯穿所述DBR反射层并向外延伸。

2.如权利要求1所述的LED高亮度倒装芯片，其特征在于，所述倒装芯片包括成形在所述P型导电层上的透明导电层，所述DBR反射层成形在所述透明导电层上，所述N型电极和所述P型电极分别成形在所述N型导电层和所述透明导电层上，所述P型电极贯穿所述DBR反射层并向外延伸。

3.如权利要求2所述的LED高亮度倒装芯片，其特征在于，所述倒装芯片进一步包括电流阻挡层，所述电流阻挡层介于所述P型导电层与所述透明导电层之间。

4.如权利要求1所述的LED高亮度倒装芯片，其特征在于，所述倒装芯片包括透明导电层和绝缘钝化层，所述透明导电层成形在所述P型导电层上，所述绝缘钝化层成形在所述透明导电层和所述N型导电层上；

所述DBR反射层通过所述绝缘钝化层成形在所述透明导电层上；

所述N型电极和P型电极分别成形在所述N型导电层和所述透明导电层上，所述N型电极贯穿所述绝缘钝化层并向外延伸，所述P型电极贯穿所述绝缘钝化层和所述DBR反射层并向外延伸。

5.如权利要求1所述的LED高亮度倒装芯片，其特征在于，所述N型电极底部和P型电极底部均包括导电反射镜层。

6.如权利要求5所述的LED高亮度倒装芯片，其特征在于，所述N型电极和P型电极分别依次包括有导电反射镜层、第一粘附层和第一焊接层，所述散热基片的N型导电区域和P型导电区域上分别依次成形有第二粘附层和第二焊接层，所述第一焊接层与所述第二焊接层分别通过焊接工艺进行电连接。

7.如权利要求1所述的LED高亮度倒装芯片，其特征在于，所述衬底背面设有粗化图形结构或成形有透光层。

8.一种如权利要求1-7任意一项所述的LED高亮度倒装芯片的制作方法，其特征在于，其操作步骤包括：

a10）、正装工序；通过正装工序得到预成形芯片；

b10）、倒装工序；将上述步骤a10）得到的预成形芯片通过倒装工序得到LED高亮度倒装芯片；

其中，所述正装工序包括DBR反射层制作成形工序。

9.如权利要求8所述的LED高亮度倒装芯片的制作方法，其特征在于，所述倒装芯片还包括透明导电层和绝缘钝化层，其中，所述正装工序a10）具体包括以下步骤：

a11）、在衬底上制作成形由N型导电层、发光层和P型导电层组成的外延层；

a12）、采用刻蚀工艺制作PN台阶，PN台阶的上台阶面为P型导电层，其下台阶面为N型导电层；

a13）、在所述P型导电层上制作成形透明导电层；

a14）、分别在N型导电层和透明导电层上制作成形N型电极和P型电极；

a15）、在N型导电层和透明导电层上制作成形绝缘钝化层，然后通过刻蚀工艺分别将N型电极和P型电极贯穿所述绝缘钝化层并向外延伸；

a16）、在覆盖有绝缘钝化层的透明导电层上制作成形DBR反射层，然后通过剥离工艺将P型电极贯穿所述DBR反射层并向外延伸；

a17）、完成正装工序，得到预成形芯片。

10.如权利要求8所述的LED高亮度倒装芯片的制作方法，其特征在于，所述倒装工序b10）为：将上述步骤a10）得到的预成形芯片通过焊接工艺与所述散热基片的N型导电区域和P型导电区域电连接，得到LED高亮度倒装芯片。