[发明专利]一种集成结型场效应晶体管的自举电路及自举方法有效
| 申请号： | 201310405068.3 | 申请日： | 2013-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN104426359B | 公开（公告）日： | 2018-07-06 |
| 发明（设计）人： | 王凡 | 申请（专利权）人： | 上海宝芯源功率半导体有限公司 |
| 主分类号： | H02M3/07 | 分类号： | H02M3/07 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 201203 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 结型场效应晶体管 驱动电路 低边晶体管 高边晶体管 输出端连接 自举电路 自举电容 漏极 自举 输入逻辑信号 驱动电源 有效减少 源极连接 栅极连接 第一端 集成度 源极 电路 | ||
1.一种集成结型场效应晶体管的自举电路，其特征在于，至少包括：
驱动电路、结型场效应晶体管、自举电容、高边晶体管、以及低边晶体管；
所述驱动电路的第一输出端连接于所述高边晶体管的栅极、第二输出端连接于所述低边晶体管的栅极、第三输出端连接于所述高边晶体管的栅极的源极、低边晶体管的漏极、负载、以及自举电容的第一端；
所述高边晶体管的漏极接高电平，所述低边晶体管的源极接低电平；
所述结型场效应晶体管集成于所述驱动电路，所述结型场效应晶体管的栅极连接于所述驱动电路以输入逻辑信号，所述逻辑信号控制所述结型场效应晶体管的开启与关断，所述结型场效应晶体管的源极直接连接于驱动电源，漏极直接连接于所述自举电容的第二端。
2.根据权利要求1所述的集成结型场效应晶体管的自举电路，其特征在于：所述高边晶体管为NMOS晶体管或PMOS晶体管。
3.根据权利要求1所述的集成结型场效应晶体管的自举电路，其特征在于：所述低边晶体管为NMOS晶体管或PMOS晶体管。
4.一种如权利要求1～3任意一项所述的集成结型场效应晶体管的自举电路的自举方法，其特征在于：
所述自举方法包括以下步骤：
驱动电路向高边晶体管的栅极输出低电平使所述高边晶体管关断，向低边晶体管的栅极输出高电平使所述低边晶体管开启，向所述结型场效应晶体管的栅极输出高电平逻辑信号使所述结型场效应晶体管开启，驱动电源给自举电容充电；
驱动电路向高边晶体管的栅极输出高电平使所述高边晶体管开启，向低边晶体管的栅极输出低电平使所述低边晶体管关断，向所述结型场效应晶体管的栅极输出低电平逻辑信号使所述结型场效应晶体管关断，所述自举电容输出的电压及所述高边晶体管输出的高电平汇聚成高电压输出，实现自举；同时，所述结型场效应晶体管的关断将自举产生的高电压与驱动电路内部的低电压供电相隔离。
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