[发明专利]发光二极管单元及发光装置

权利要求书

1.一种发光二极管单元，包含一可透光的基板、一第一晶粒结构、至少一个第二晶粒结构及一第三晶粒结构，其特征在于：

该第一晶粒结构形成于该基板上，包括一第一发光体、一第一正电极及一第一负电极，该第一正电极与该第一负电极相互间隔且至少部分设于该第一发光体上，以传输该第一发光体所需的电力，

该第二晶粒结构形成于该基板上，且间隔于该第一晶粒结构，并包括一第二发光体、一第二正电极及一第二负电极，该第二正电极与该第二负电极间隔地设于该第二发光体上，以传输该第二发光体所需的电力，

该第三晶粒结构形成于该基板上，且间隔于该第一晶粒结构及该第二晶粒结构，并包括一第三发光体、一第三正电极及一第三负电极，该第三正电极与该第三负电极相互间隔且至少部分设于该第三发光体上，以传输该第三发光体所需的电力，

其中，该第一晶粒结构、该第二晶粒结构与该第三晶粒结构依序形成串联连接，且该第三正电极的面积远大于该第二正电极及该第一正电极的面积，该第一负电极的面积远大于该第三负电极及该第二负电极的面积。

2.根据权利要求1所述的发光二极管单元，其特征在于：该第二晶粒结构的数量为多个，所述第二晶粒结构彼此相互间隔且间隔于该第一晶粒结构与该第三晶粒结构，且所述第二晶粒结构彼此串联连接，并串接于该第一晶粒结构与该第三晶粒结构之间。

3.根据权利要求1所述的发光二极管单元，其特征在于：该第三正电极与该第一负电极的面积均不小于0.4平方毫米。

4.根据权利要求1所述的发光二极管单元，其特征在于：该第三正电极与该第一负电极的材质选自铜、锡、金、镍、钛、铬、铝、铂、银及其群组。

5.根据权利要求2所述的发光二极管单元，其特征在于：该第一晶粒结构、所述第二晶粒结构与该第三晶粒结构的面积总和大于4平方毫米。

6.根据权利要求1所述的发光二极管单元，其特征在于：该发光二极管单元还包含一可透光的第一绝缘结构，该第一绝缘结构至少设置于该第一晶粒结构、该第二晶粒结构与该第三晶粒结构之间，并至少覆盖该第一晶粒结构的第一正电极及第一负电极以外的表面、至少覆盖该第二晶粒结构的第二正电极及第二负电极以外的表面，以及至少覆盖该第三晶粒结构的第三正电极及第三负电极以外的表面。

7.根据权利要求6所述的发光二极管单元，其特征在于：该第三正电极还设于该第一晶粒结构或该第二晶粒结构上设有该第一绝缘结构处，且该第一绝缘结构介于第三正电极与该第一晶粒结构之间或介于该第三正电极与该第二晶粒结构之间；该第一负电极还设于该第二晶粒结构或该第三晶粒结构上设有该第一绝缘结构处，且该第一绝缘结构介于该第一负电极与该第二晶粒结构之间或介于该第一负电极与该第三晶粒结构之间。

8.根据权利要求1所述的发光二极管单元，其特征在于：该发光二极管单元还包含一第二绝缘结构及一反光结构，该第二绝缘结构具有透光性且至少覆盖该第二晶粒结构的表面，该反光结构至少覆盖于该第二绝缘结构之上。

9.根据权利要求8所述的发光二极管单元，其特征在于：该第二绝缘结构及该反光结构还覆盖于该第一晶粒结构的第一负电极以外的至少一部分，或覆盖于该第三晶粒结构的第三正电极以外的至少一部分。

10.根据权利要求1所述的发光二极管单元，其特征在于：该发光二极管单元还包含一反光结构，该反光结构设置于该基板相反于该第一晶粒结构、该第二晶粒结构与该第三晶粒结构的另一面。

11.根据权利要求1所述的发光二极管单元，其特征在于：该第三正电极的面积至少为该第二正电极或该第一正电极的面积的2倍，且该第一负电极的面积至少为该第三负电极或该第二负电极的面积的2倍。

12.一种发光装置，其特征在于，该发光装置包含：

一如权利要求1至11中任一项所述的发光二极管单元；及

至少一封装结构，其设置于该发光二极管单元表面，并包括一波长转换层及一封装基材，该波长转换层一体成型地至少对应设置于该第一晶粒结构、该第二晶粒结构与该第三晶粒结构，受该第一晶粒结构、该第二晶粒结构与该第三晶粒结构发出的光线照射后，发出相异于该第一晶粒结构、该第二晶粒结构与该第三晶粒结构发光颜色的光线，该封装基材具透光性并覆盖该发光二极管单元与该波长转换层。