[发明专利]含有纳米颗粒的介电组合物

权利要求书

1.介电组合物，其包含至少一种介电的有机流体和纳米颗粒。

2.根据权利要求1所述的介电组合物，其特征在于，至少50％、优选至少75％、尤其优选至少90％、尤其是优选至少95％、特别是尤其优选至少99％以及最优选所有的纳米颗粒由相对介电常数ε_r在1至1000、优选在1至200之间的材料所构成。

3.根据权利要求1或2的介电组合物，其特征在于，至少一部分所述纳米颗粒是由从金属氧化物、非金属氧化物、金属硼化物、非金属硼化物、金属氮化物、非金属氮化物、金属碳化物、非金属碳化物、卤素化合物、碳有机化合物、氟有机化合物、硅有机化合物、碳、以及两种或更多种前述组分的任意组合中选出的材料所构成。

4.根据权利要求3所述的介电组合物，其特征在于，至少一部分所述纳米颗粒是由从二氧化钛、氧化锌、氧化铁、氧化锆、二氧化铈、以及两种或更多种上述化合物的任意组合中选出的材料所构成。

5.根据权利要求4所述的介电组合物，其特征在于，至少一部分所述纳米颗粒是由二氧化钛、优选由锐钛矿结晶型构成。

6.根据权利要求4或5所述的介电组合物，其特征在于，至少一部分所述纳米颗粒优选涂有硅有机化合物和／或碳有机化合物，并且尤其优选涂有硅烷和／或氟硅烷。

7.根据上述权利要求中至少任一项所述的介电组合物，其特征在于，所述纳米颗粒具有1至1000nm、优选5至100nm、尤其优选10至50nm、尤其优选15至50nm、进一步优选17至50nm、特别是尤其优选17至30nm、最优选17至25nm的平均颗粒直径(d₅₀)。

8.根据上述权利要求中至少任一项所述的介电组合物，其特征在于，所述纳米颗粒具有1至1000nm、优选5至100nm、尤其优选10至50nm、尤其优选15至50nm、进一步优选5至50nm、特别是尤其优选17至50nm、至多优选17至25nm的平均颗粒直径(d_25／75)。

9.根据上述权利要求中至少任一项所述的介电组合物，其特征在于，所述纳米颗粒具有1至1000nm、优选5至100nm、尤其优选10至50nm、尤其优选15至50nm、进一步优选17至50nm、特别是尤其优选17至30nm、至多优选由17至25nm的平均颗粒直径(d_99／1)。

10.根据上述权利要求中至少任一项所述的介电组合物，其特征在于，所述纳米颗粒具有双峰的颗粒分布，在该双峰颗粒分布中一部分颗粒的平均颗粒直径(d₅₀)小于10nm的颗粒以及一部分颗粒的平均颗粒直径(d₅₀)为10至100nm、尤其优选10至50nm并且特别是尤其优选10至25nm。

11.根据上述权利要求中至少任一项所述的介电组合物，其特征在于，所述组合物包含至少一种氟化酮和／或至少一种氟化烯烃，其中，所得到的流体在5巴、尤其优选1.5巴的压力条件下具有小于25℃、优选小于0℃、尤其优选小于-10℃、特别是尤其优选小于-25℃的沸点，和／或所述流体的成分需要在高达大于75℃的温度、优选大于105℃以及尤其优选大于125℃的温度都是化学稳定的。

12.根据权利要求11所述的介电组合物，其特征在于，所述至少一种氟化酮为C_3-15氟化酮、优选C_3-10氟化酮、尤其优选C_3-8氟化酮并且特别是尤其优选C_3-6氟化酮。

13.根据权利要求11或12所述的介电组合物，其特征在于，所述至少一种氟化酮为C_2-15氟化烯烃、优选C_2-10氟化烯烃、尤其优选C_2-8氟化烯烃并且特别是尤其优选C_2-6-氟化烯烃。

14.根据上述权利要求中至少任一项所述的介电组合物在电子装置内的用途，所述电子装置优选在0.1至5000kV、优选0.1至1000kV、尤其优选1至60kV、特别是尤其优选1至52kV的电压下运行。

15.一种电子装置，尤其是用于低压、中压、高压和／或最高电压范围的电子装置，包括：

a)外壳；

b)至少一个布置在所述外壳内的引导电压的元件；以及

c)位于所述外壳内的、根据权利要求1至13中至少一项所述的介电组合物，所述介电组合物与所述引导电压的元件直接接触。