[发明专利]一种全方位发光的倒装LED芯片

说明书

技术领域

本发明属于光电技术领域，具体是涉及一种能全方位发光的倒装LED芯片。 

背景技术

倒装LED芯片与正装LED芯片相比,倒装LED芯片具有较好的散热功能和发光效率，具有低电压、高亮度、高可靠性、高饱和电流密度等优点，性能方面有较大的优势，具有良好的发展前景。 

目前，倒装LED芯片的封装首先制备具有适合共晶焊接的倒装LED芯片，同时制备相应尺寸的硅底板，并在其上制作共晶焊接电极的金导电层和引出导电层（超声波金丝球焊点）。然后，利用共晶焊接设备将倒装LED芯片与硅底板焊在一起。根据热沉底板不同，目前市场上常见有两种热沉底板的倒装法：一是利用共晶焊接设备，将倒装LED芯片与硅底板焊接在一起，这称为硅底板倒装法；一种是陶瓷底板倒装法，制备具有适合共晶焊接电极结构和大出光面积的LED芯片，并在陶瓷底板制作共晶焊接导电层和引出导电层，利用共晶焊接设备将倒装LED芯片与陶瓷底板焊接在一起。 

由于现有倒装LED芯片的封装焊料和焊接电极是不透光的，发光层射向焊接电极处的这部分光会被吸收，无法有效的进行利用，另外倒装LED芯片由于焊接原因，底面通常是不透光的,芯片发出的光只能从芯片的五个面发射出去，底面没有光通过。 

发明内容

针对现在技术中存在的问题，本发明的目的是提供一种全方位发光的倒装LED芯片，使芯片发出的光的利用效率达到最大，同时发出的光能通过底面发射出去。 

为达到上述目的，本发明所采用的技术方案如下： 

提供一种全方位发光的倒装LED芯片，包括位于芯片底部的P型焊接电极和N型焊接电极，所述P型焊接电极的上侧设有第一反射层，第一反射层覆盖P型焊接电极的上表面，其中第一反射层能将射向P型焊接电极的光进行反射，并且具有导电性能。 

进一步的，所述N型焊接电极的上侧设有第二反射层，第二反射层层覆盖N型焊接电极的上表面，其中第二反射层能将射向N型焊接电极的光进行反射，具有导电性能。 

所述第一反射层和第二反射层分别选自Al反射层、银反射层、DBR反射层（分布布拉格反射镜）中的一种几种组合。由于Al具有较好的反射效果和导电性能，所述第一反射层和第二反射层优选为Al反射层。另外第一反射层和第二反射层还可以选自Ag反射层 

为了达到立体全方位发光的更好效果，对上述倒装LED芯片的焊接基板进行限制，所述倒装LED芯片焊接在透明的基板上。所述倒装LED芯片底部未设有反射层，芯片产生的光能从底部发射出去。 

本发明的有益效果在于：通过在焊接电极处设反射层，有效的利用了射向焊接电极处的这部分光，提高光的利用率；采用透明基板焊接，光能全方位发射出去，该结构的倒装LED芯片适用于室内要求全方位照明的LED灯泡。 

附图说明

图1是实施例的倒装LED芯片的发光原理结构示图。 

图2是实施例的倒装LED芯片的结构示意图。 

具体实施方式

以下结合附图与具体实施例对本发明的技术方案做详细说明。 

参照图1所示，本实施例的倒装LED芯片是焊接在透明的基板1上，通过共晶焊或锡焊进行焊接，由于P型焊接极8、N型焊接电极11和焊料12都是不透光，为充分利用从发光层射向这部分光，在P型焊接极的上侧设有第一反射层7，在P型焊接极的上侧设有第二反射层10，其中第一反射层和第二反射层均选自Al反射层。在倒装LED芯片底部未设有反射层，芯片产生的光能从底部发射出去，穿过透明的基板1，形成全方位的立体发光。 

参照图2所示，本实施例的倒装LED芯片的结构，包括蓝宝石衬底2、N-GaN层3、发光层4、P-GaN层5、P型焊接电极8、位于P型焊接电极一侧的P型欧姆接触电极层6和第一反射层7、N型焊接电极11、以及位于P型焊接电极一侧的N型欧姆接触电极层9和第二反射层10。 

以上实施例为本发明的优选实施例，本发明不限于上述实施例，对于本领域普通技术人员而言，在不背离本发明技术原理的基础上所做的任何显而易见的改动，都属于本发明的构思和所附权利要求的保护范围。