[发明专利]一种芯片器件及其测试方法有效
申请号: | 201310395193.0 | 申请日: | 2013-09-03 |
公开(公告)号: | CN104422867B | 公开(公告)日: | 2017-06-06 |
发明(设计)人: | 陈志坚;胡胜发 | 申请(专利权)人: | 安凯(广州)微电子技术有限公司 |
主分类号: | G01R31/26 | 分类号: | G01R31/26;H03F3/45 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 王宝筠 |
地址: | 510663 广东省广州市萝岗区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 芯片 器件 及其 测试 方法 | ||
技术领域
本发明涉及测试领域,尤其是涉及一种芯片器件及其测试方法。
背景技术
在现有技术中,芯片器件中通常包括多个模块,每个模块在输入或者输出模拟信号时,使用的是差分信号。因此,每一个模块需要占用芯片器件的两个引脚,用于输入或输出差分信号。显然,若一个芯片器件具有n个模块,则n个模块就会占用至少2n个引脚。可见,现有技术中芯片器件的各个模块占用的引脚数量较多,从而造成了宝贵的引脚资源的浪费。
发明内容
本发明解决的技术问题在于提供一种芯片器件及其测试方法,实现减少模块占用芯片器件的引脚数量,从而节省宝贵的引脚资源。
为此,本发明解决技术问题的技术方案是:
本发明提供了一种芯片器件,所述芯片器件内置有n个模块和n个单端与差分转换电路,每个所述模块分别对应一个所述单端与差分转换电路,每个所述模块连接与该模块对应的单端与差分转换电路的差分端口,各个单端与差分转换电路的单端端口分别连接所述芯片器件的引脚;其中,所述n为大于或等于1的自然数。
优选地,所述芯片器件还内置有m个开关电路,m个所述单端与差分转换电路的单端端口分别通过所述m个开关电路连接到所述芯片器件的引脚;该连接开关电路的各个引脚中,每个引脚至少连接有两个所述开关电路;其中,所述m为小于或等于n的自然数。
优选地,所述m等于n,所述n个单端与差分转换电路的单端端口分别通过n个所述开关电路连接到所述芯片器件的同一引脚。
优选地,所述芯片器件还设置有控制引脚,所述控制引脚接收到的控制信号用于控制所述开关电路的导通与闭合。
优选地,任一个所述开关电路包括第一NMOS管和第一PMOS管;
所述第一NMOS管的漏极和所述第一PMOS管的漏极相连,作为该开关电路的输入端口;所述第一NMOS管的源极和所述第一PMOS的源极相连,作为该开关电路的输出端口;
若该开关电路连接的单端与差分转换电路的单端端口为该单端与差分转换电路的输出端口时,该开关电路的输入端口连接该单端端口;若该开关电路连接的单端与差分转换电路的单端端口为该单端与差分转换电路的输入端口时,该开关电路的输出端口连接该单端端口。
优选地,所述单端与差分转换电路为单端转差分电路或者差分转单端电路。
优选地,任一个所述差分转单端电路包括:第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管和第一电阻;
第二PMOS管的源极、第三PMOS管的源极、第四PMOS管的源极以及第五PMOS管的源极连接到电源电压,第二PMOS管的栅极和第二NMOS管的栅极连接到该差分转单端电路的开启电压,第二PMOS管的漏极、第三PMOS管的漏极和栅极、第四PMOS管的栅极、第五PMOS管的栅极和第二NMOS管的漏极连接到偏置电压,第四PMOS管的漏极连接第六PMOS管的源极和第七PMOS管的源极,第六PMOS管的漏极连接第三NMOS管的漏极和栅极、以及第四NMOS管的栅极,第七PMOS管的漏极连接第四NMOS管的漏极和第五NMOS管的栅极,第五NMOS管的栅极通过第一电阻连接第五NMOS管的漏极和第五PMOS管的漏极,第五NMOS管的源极、第四NMOS管的源极、第三NMOS管的源极、第二NMOS管的源极连接到地电压,所述第五PMOS管的漏极作为该差分转单端电路的输出端口,第六PMOS管的栅极和第七PMOS管的栅极作为该差分转单端电路的输入端口。
优选地,任一个所述单端转差分电路包括:第八PMOS管、第九PMOS管、第十PMOS管、第十一PMOS管、第十二PMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管、第九NMOS管、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻和电容;
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