[发明专利]一种镀铜氧化铟锡膜蚀刻工艺无效

专利信息
申请号: 201310394903.8 申请日: 2013-09-02
公开(公告)号: CN103436884A 公开(公告)日: 2013-12-11
发明(设计)人: 王涛;王永亮;马振军;辛克文;杨仲艳 申请(专利权)人: 中环高科(天津)股份有限公司
主分类号: C23F1/02 分类号: C23F1/02;C23F1/18;C09K13/00
代理公司: 天津中环专利商标代理有限公司 12105 代理人: 王凤英
地址: 300385 天津*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 一种 镀铜 氧化 铟锡膜 蚀刻 工艺
【说明书】:

技术领域

发明涉及触摸屏加工工艺,尤其涉及一种镀铜氧化铟锡膜蚀刻工艺。

背景技术

传统的干法蚀刻工艺制作的氧化铟锡图案线宽、线距>80μm,且蚀刻后需丝印边缘银线。因此,传统的干法蚀刻工艺存在工艺复杂,线宽及线距宽、成本高及产能低等缺陷。鉴于对线宽、线距窄边化,减少工序,节约人力,降低成本,优化触摸屏产品性能等多方面的要求,势必要对传统工艺进行改进。

发明内容

鉴于上述现有技术存在的缺陷和不足,本发明提供一种镀铜氧化铟锡膜蚀刻工艺。本工艺采用湿法对镀铜氧化铟锡膜进行蚀刻,首先通过丝印耐酸油墨将不需要蚀刻的部分保护起来,采用配制的铜蚀刻液先蚀刻铜膜层,再采用配制的氧化铟锡蚀刻液蚀刻氧化铟锡膜层。

    本发明采取的技术方案是:一种镀铜氧化铟锡膜蚀刻工艺,其特征在于,包括如下步骤:

步骤一:采用350目的聚酯网版在镀铜氧化铟锡膜上丝网印刷UV耐酸油墨,涂覆需要保护的区域;

步骤二:将丝印好的镀铜氧化铟锡膜进行紫外灯固化,固化能量1000mj/cm2,固化时间2min;

步骤三:铜蚀刻液配制,将H2O2、HCl、甲基苯骈三氮唑、去离子水按照摩尔比10:3:1:50室温下混合均匀;

步骤四:铜膜层蚀刻,将镀铜氧化铟锡膜浸入25±5℃的铜蚀刻液中,60±5s后取出,用去离子水冲洗;

步骤五:氧化铟锡蚀刻液配制,将草酸、2-甲基咪唑啉、去离子水按照摩尔比10:1:100室温下混合均匀;

步骤六:氧化铟锡膜层蚀刻,将镀铜氧化铟锡膜浸入25±5℃的氧化铟锡蚀刻液中,60±5s后取出,用去离子水冲洗; 

步骤七:脱膜,将镀铜氧化铟锡膜浸入浓度为3% NaOH的溶液中,室温下浸泡60±5s后取出,用去离子水冲洗。

本发明所产生的有益效果是:本工艺以镀铜氧化铟锡膜为原料,通过印刷保护油墨后进行湿法蚀刻,无需黄光设备即可实现30μm线宽、线距,且图形及边缘银线生产一步到位,即省去了丝印边框银线工艺。本工艺简单,对设备要求低且易于控制,能满足减少工序、降低成本、提高产能等多方面要求。

具体实施方式

为了更清楚的理解本发明,以下结合实施例对本发明进一步描述,其步骤如下:

步骤一:采用350目的聚酯网版在镀铜氧化铟锡膜上丝网印刷UV耐酸油墨(UV耐酸油墨为市场公知商品),涂覆需要保护的区域。

步骤二:将丝网印刷好的镀铜氧化铟锡膜进行紫外灯固化,固化能量1000mj/cm2,固化时间2min;

步骤三:铜蚀刻液(蚀刻液1)配制,将H2O2、HCl、甲基苯骈三氮唑、去离子水按照摩尔比10:3:1:50室温下混合均匀;

步骤四:铜膜层蚀刻,将镀铜氧化铟锡膜浸入25℃的铜蚀刻液中,60s后取出,用去离子水冲洗。此步骤只蚀刻铜膜层,不损伤氧化铟锡膜层。

步骤五:氧化铟锡蚀刻液(蚀刻液2)配制,将草酸、2-甲基咪唑啉、去离子水按照摩尔比10:1:100室温下混合均匀即可。

步骤六:氧化铟锡膜层蚀刻,将镀铜氧化铟锡膜浸入25℃的氧化铟锡蚀刻液中,60s后取出,用去离子水冲洗。此步骤只蚀刻氧化铟锡膜层,不损伤铜膜层。 

步骤七:脱膜,将镀铜氧化铟锡膜浸入浓度为3% NaOH的溶液中,室温下浸泡60s后取出,用去离子水冲洗。

以上工艺均在业内公知的普通设备上完成。

测试镀铜氧化铟锡膜性能参数见下表:

1#产品通过透过率及方阻值测试表明:蚀刻液1能将铜完全蚀刻掉,且对氧化铟锡膜层无损伤,2#产品通过透过率及方阻值测试表明:蚀刻液2能将氧化铟锡膜完全蚀刻。

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