[发明专利]一种用于聚酰亚胺衬底铜铟镓硒薄膜太阳能电池的背电极

权利要求书

1.一种用于聚酰亚胺衬底铜铟镓硒薄膜太阳能电池的背电极，其特征在于：该背电极用薄层Ag作为应力缓冲层并与Mo薄膜构成复合结构，由聚酰亚胺衬底（PI）、薄Mo薄膜层、Ag薄膜层和厚Mo薄膜层依次叠加构成，薄Mo薄膜层为高阻Mo层，薄膜厚度为50-80nm；Ag薄膜层为应力缓冲层，薄膜厚度为50-80nm；厚Mo薄膜层为阻挡层，阻挡层为双层Mo薄膜，第一层Mo薄膜厚度为100-200nm，第二层Mo薄膜厚度为600-700nm。

2.一种如权利要求所述用于聚酰亚胺衬底铜铟镓硒薄膜太阳能电池的背电极的制备方法，其特征在于步骤如下:

1）去离子水和去污剂清洗聚酰亚胺衬底30min，然后送入超声机清洗1h，再用去离子水清洗10min，脱水烘干后送入溅射腔室；

2）样品在本底真空为2.1×10^-3pa的溅射腔室内，10min内加热至150℃，去气30min；

3）在聚酰亚胺衬底上采用直流磁控溅射法制备薄Mo薄膜层，工艺参数为：本底真空2.1×10^-3pa，衬底温度23℃，靶间距60mm，通入的Ar气流量21.1sccm，真空室工作气体压强2.0pa，溅射电流0.5A，溅射薄膜厚度为50-80nm；

4）采用直流磁控溅射法制备Ag薄膜，工艺参数为：本底真空4×10^-4pa，衬底温度23℃，溅射功率50w，溅射厚度为50-80nm；

5）采用直流磁控溅射法制备厚Mo薄膜层即双层Mo薄膜，通用工艺参数为：本底真空2.1×10^-3pa，衬底温度23℃，通入Ar气，流量为21.1sccm，其中第一层Mo薄膜制备时采用高气压溅射，工作气压为2.0pa，溅射功率为130-150w，溅射时间为15min，薄膜厚度为100-200nm，第二层Mo薄膜制备时采用低气压溅射，工作气压为0.2pa，溅射功率为220-230w，溅射时间为30min，薄膜厚度为600-700nm。

3.一种如权利要求所述用于聚酰亚胺衬底铜铟镓硒薄膜太阳能电池的背电极的应用，其特征在于：用于铜铟镓硒薄膜太阳能电池的背电极，所述铜铟镓硒薄膜太阳能电池由该结构背电极、CIGS吸收层，CdS缓冲层、本征氧化锌（i-ZnO）、掺铝氧化锌（ZnO：Al）和镍铝前电极构成， CIGS吸收层薄膜厚度为0.8-1.5um，CdS缓冲层薄膜厚度为30-100nm，本征氧化锌（i-ZnO）薄膜厚度为30-150nm，掺铝氧化锌（Al：ZnO）薄膜厚度为300-1500nm，镍铝前电极层薄膜厚度为0.5um-4um。