[发明专利]序列式NAND型闪存、闪存装置及其操作方法

权利要求书

1.一种序列式NAND型闪存，其特征在于，所述序列式NAND型闪存包括：

一封装，从一8-pin WSON封装，一24-pin FBGA封装，一8-pin SOIC封装以及一16-pin SOIC封装组成的一群体中选出，其中该封装的至少一些压点为一SPI接口的主动式压点；

一NAND型闪存阵列，包含在该封装中；

一分页缓冲器，包含在该封装中以及耦接至该NAND型闪存阵列；以及

一控制逻辑，包含在该封装中以及耦接该NAND型闪存阵列和该分页缓冲器，以对应一读取指令提供一数据，其中该数据通过该分页缓冲器从该NAND型闪存输出至该SPI接口的主动式压点的至少一压点；

其中，该控制逻辑还对应该读取指令提供的一连续数据输出，其中该连续数据输出跨过分页边界且来自逻辑上邻近的存储器位置输出而不用等待间隔。

2.根据权利要求1所述的序列式NAND型闪存，其特征在于，该封装包括一输出压点，而该输出压点与一高效能序列式NOR型闪存的封装的对应形式的一输出压点相同。

3.根据权利要求1所述的序列式NAND型闪存，其特征在于，该读取指令对应一高效能序列式NOR读取指令，该控制逻辑还与该高效能序列式NOR读取指令时脉相容，以对应该高效能序列式NOR的读取指令提供该连续数据输出。

4.根据权利要求1所述的序列式NAND型闪存，其特征在于，该封装具有48平方毫米或更少的底面积。

5.一种序列式NAND型闪存装置，其特征在于，所述序列式NAND型闪存装置包括：

一封装，具有48平方毫米或更少的底面积以及具有四至六压点的一主动式SPI接口；

一NAND型闪存阵列，包含于该封装中；

一分页缓冲器，包含在该封装中以及耦接该NAND型闪存阵列；以及

一控制逻辑，包含在该封装中以及耦接该NAND型闪存阵列与该分页缓冲器，以对应一读取指令提供一连续数据输出，其中该控制逻辑通过该分页缓冲器，将该连续数据输出由该序列式NAND型闪存装置提供至该主动式SPI接口的至少一压点；

其中该连续数据输出跨过分页边界且来自逻辑上邻近的存储器位置而不用等待间隔。

6.根据权利要求5所述的序列式NAND型闪存装置，其特征在于，该封装包括一输出压点，而该输出压点与一高效能序列式NOR型闪存的封装的对应形式的一输出压点相同。

7.根据权利要求5所述的序列式NAND型闪存装置，其特征在于，该封装为一8压点的WSON封装。

8.根据权利要求5所述的序列式NAND型闪存装置，其特征在于，该封装为一24压点的FBGA封装。

9.根据权利要求5所述的序列式NAND型闪存装置，其特征在于，该分页缓冲器为一乒乓缓冲器。

10.一种NAND型闪存装置，其特征在于，所述的NAND型闪存装置包括：

一接口；

一NAND型闪存阵列；

一分页缓冲器，耦接该NAND型闪存阵列；

一控制逻辑，耦接该NAND型闪存阵列及该分页缓冲器，以对应一读取指令提供一连续数据输出，其中该控制逻辑通过该分页缓冲器将该连续数据输出从该NAND型闪存装置提供至该接口；

其中该连续数据输出跨过分页边界且来自逻辑上邻近的存储器位置而不用等待间隔；以及

一启动电源检测器，在启动电源时，初始化该NAND型闪存阵列至该分页缓冲器的一预设分页的负载。

11.根据权利要求10所述的NAND型闪存装置，其特征在于，所述的NAND型闪存装置还包括一缓冲模式标示，在电力开启时，该启动电源检测器设定该缓冲模式标示至一连续分页读取模式。

12.根据权利要求11所述的NAND型闪存装置，其特征在于，该接口包括一单位元的SPI接口以及一多位元的SPI接口。