[发明专利]非易失性半导体存储装置及其制造方法

权利要求书

1.一种非易失性半导体存储装置，其特征在于，具有：

半导体基板；

第1绝缘膜，其形成于所述半导体基板上；

第1电极膜，其形成于所述第1绝缘膜上；

第2绝缘膜，其形成于所述第1电极膜上；

第2电极膜，其形成于所述第2绝缘膜上；

第3电极膜，其将第1宽度尺寸且第1深度尺寸的第1凹部的内部填埋并且形成于所述第2电极膜上，所述第1凹部形成为贯穿所述第2电极膜和所述第2绝缘膜而到达所述第1电极膜内；和

第1阻挡金属膜及第1金属膜，其形成于所述第3电极膜上，

所述第3电极膜形成为所述第2电极膜上的部分的膜厚为第1膜厚，所述第1膜厚小于等于所述第1凹部的第1宽度尺寸的1/2。

2.根据权利要求1所述的非易失性半导体存储装置，其特征在于，

所述第3电极膜在位于所述第1凹部上部的表面具有台阶。

3.根据权利要求1所述的非易失性半导体存储装置，其特征在于，

所述第3电极膜形成为其位于所述第1凹部上部的表面平坦。

4.根据权利要求1所述的非易失性半导体存储装置，其特征在于，具有：

第3绝缘膜，其形成于所述半导体基板上；

第4电极膜，其形成于所述第3绝缘膜上；

第4绝缘膜，其形成于所述第4电极膜上；

第5电极膜，其形成于所述第4绝缘膜上；

第6电极膜，其沿着比所述第1宽度尺寸宽的第2宽度尺寸且第1深度尺寸的第2凹部的形状而将所述第2凹部的内部填埋、并且形成于所述第5电极膜上，所述第2凹部形成为贯穿所述第5电极膜和所述第4绝缘膜而到达所述第4电极膜内；和

第2阻挡金属膜及第2金属膜，其形成于所述第6电极膜上，

所述第6电极膜的所述第5电极膜上的部分和所述第2凹部的底面部分的膜厚形成为所述第1膜厚，并且，在所述第2凹部的侧壁面部分，所述第6电极膜形成为在所述第3绝缘膜和所述第4绝缘膜的层叠方向上随着从上部向下部而膜厚变厚。

5.根据权利要求4所述的非易失性半导体存储装置，其特征在于，具有：

层间绝缘膜，其形成为覆盖所述第2金属膜的上表面；和

接触部，其配置在所述第2凹部的正上部，贯穿所述层间绝缘膜而到达所述金属膜。

6.根据权利要求5所述的非易失性半导体存储装置，其特征在于，

所述第2凹部的中央平坦。

7.一种非易失性半导体存储装置，其特征在于，具有：

半导体基板；

第1绝缘膜，其形成于所述半导体基板上；

第1电极膜，其形成于所述第1绝缘膜上；

第2绝缘膜，其形成于所述第1电极膜上；

第2电极膜，其形成于所述第2绝缘膜上；

第3电极膜，其形成为将预定宽度尺寸且预定深度尺寸的凹部的内部填埋，所述凹部形成为贯穿所述第2电极膜和所述第2绝缘膜而到达所述第1电极膜内；和

第1阻挡金属膜及第1金属膜，其形成于所述第2电极膜和所述第3电极膜上。

8.根据权利要求7所述的非易失性半导体存储装置，其特征在于，

所述第3电极膜在位于所述凹部上部的表面具有台阶。

9.根据权利要求7所述的非易失性半导体存储装置，其特征在于，具有：

层间绝缘膜，其形成为覆盖所述金属膜的上表面；和

接触部，其配置在所述凹部的正上部，贯穿所述层间绝缘膜而到达所述金属膜。

10.根据权利要求7所述的非易失性半导体存储装置，其特征在于，具有：

第3绝缘膜，其形成于所述半导体基板上；

第4电极膜，其形成于所述第3绝缘膜上；

第4绝缘膜，其形成于所述第4电极膜上；

第5电极膜，其形成于所述第4绝缘膜上；

第6电极膜，其形成为在比所述第1宽度尺寸宽的第2宽度尺寸且第1深度尺寸的第2凹部的内部的侧壁面部分，在所述第3绝缘膜和所述第4绝缘膜的层叠方向上，随着从上部向下部而膜厚变厚，所述第2凹部形成为贯穿所述第5电极膜和所述第4绝缘膜而到达所述第4电极膜内；和

第2阻挡金属膜及第2金属膜，其形成于所述第6电极膜上。