[发明专利]一种纳米滤光方法无效

专利信息
申请号: 201310393846.1 申请日: 2013-09-02
公开(公告)号: CN103454710A 公开(公告)日: 2013-12-18
发明(设计)人: 司光远;赵玉倩;宋爱娟;姜潇潇;刘少楠;魏永涛;王军伟;金伟;闫冬梅;马振鹤;王凤文 申请(专利权)人: 东北大学
主分类号: G02B5/26 分类号: G02B5/26
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 王莹
地址: 110004 辽宁*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要:
搜索关键词: 一种 纳米 滤光 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及滤光技术,特别涉及一种纳米滤光方法。

背景技术

随着滤光技术的快速发展,滤光技术所采用的滤光器件的成本却依然很高。

目前,基于表面等离子原理的滤光器件的制备技术基本上是基于电子束直写(electron-beam lithography,EBL)和聚焦离子束刻蚀(focused ion beam)。其中,电子束直写是是利用电子束在涂有电子抗蚀剂的晶片上直接描画或投影复印图形的技术。聚焦离子束刻蚀技术是利用镓离子在很高的空间分辨率下进行切割并进一步去除材料。

然而,现有技术的缺点为:在对白光进行滤光得到的单色光分辨率普遍较低。

发明内容

(一)解决的技术问题

本发明解决的技术问题是:如何提供一种纳米滤光方法,解决滤光得到的单色光分辨率低的问题。

(二)技术方案

所述方法包括:

S1:将入射光以预设角度从纳米柱阵列上方入射;

S2:所述入射光与所述纳米柱阵列发生表面等离子共振后进行反射,得到所述入射光以预设角度入射的单色光;

S3:调整预设角度,并将入射光以调整后的预设角度从所述纳米柱阵列上方入射,并跳转步骤S2,直到得到所述入射光的所有单色光。

优选地,所述预设角度为所述入射光与所述纳米柱阵列顶部平面的夹角。

优选地,当预设角度不同时,所述入射光与所述纳米柱阵列发生表面等离子共振时的共振波长不同,得到的单色光颜色不同。

优选地,所述纳米柱阵列的底部垂直于衬底并与所述衬底固定。

优选地,所述纳米柱阵列的材质为金、银或铝。

(三)有益效果

本发明实施例通过提供一种纳米滤光方法,通过调整预设角度,将入射光以预设角度从纳米柱阵列上方入射,由于预设角度不同,所述入射光与所述纳米柱阵列发生表面等离子共振后进行反射,得到不同颜色的单色光,从而达到分光的效果,由于当预设角度不同时,所述入射光与所述纳米柱阵列发生表面等离子共振时的共振波长不同,分出的单色光即为共振波长的光,因此,分出的单色光的分辨率很高。

附图说明

图1是本发明实施例提供的纳米滤光方法流程图;

图2是本发明实施例提供的纳米滤光侧视图;

图3是本发明实施例提供的纳米滤光立体图;

图4是本发明实施例提供的不同预设角度下得到的反射光谱;

图5为本发明实施例提供的纳米柱阵列结构电子扫描显微镜图。

具体实施方式

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。

实施例1:

本发明实施例提供了一种纳米滤光方法,如图1所示,包括:

S1:将入射光以预设角度从纳米柱阵列上方入射;

S2:所述入射光与所述纳米柱阵列发生表面等离子共振后进行反射,得到所述入射光以预设角度入射的单色光;

S3:调整预设角度,并将入射光以调整后的预设角度从所述纳米柱阵列上方入射,并跳转步骤S2,直到得到所述入射光的所有单色光。

本发明实施例通过提供一种纳米滤光方法,通过调整预设角度,将入射光以预设角度从纳米柱阵列上方入射,由于预设角度不同,所述入射光与所述纳米柱阵列发生表面等离子共振后进行反射,得到不同颜色的单色光,从而达到分光的效果,由于当预设角度不同时,所述入射光与所述纳米柱阵列发生表面等离子共振时的共振波长不同,分出的单色光即为共振波长的光,因此,分出的单色光的分辨率很高。

本发明实施例中,所示预设角度为所述入射光与所述纳米柱阵列顶部平面的夹角。

当预设角度不同时,所述入射光与所述纳米柱阵列发生表面等离子共振时的共振波长不同,得到的单色光颜色不同,得到的该单色光的波长即为共振波长,通过当预设角度不同时共振波长不同,从而快速简单的滤出单色光。

如图2所示为本发明实施例提供的纳米滤光侧视图,以及如图3所示为本发明实施例提供的纳米滤光立体图,入射光以预设角度θ从纳米柱阵列上方入射,如图2中的θ为反射光与纳米柱阵列顶部平面的夹角,由于入射角和反射角相等,预设角度θ为入射光与纳米柱阵列顶部平面的夹角。本发明实施例的入射光可以为白光。

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