[发明专利]反向导通绝缘栅双极型晶体管制造方法有效
| 申请号： | 201310392737.8 | 申请日： | 2013-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN104425259B | 公开（公告）日： | 2017-09-15 |
| 发明（设计）人： | 王万礼;邓小社;王根毅;芮强 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 向导 绝缘 栅双极型 晶体管 制造 方法 | ||
1.一种反向导通绝缘栅双极型晶体管制造方法，其特征在于，所述反向导通绝缘栅双极型晶体管制造方法包括如下步骤：
提供正面形成IGBT结构的衬底；
在所述衬底的背面注入P+离子形成有P+层；
采用光刻、刻蚀工艺在所述衬底的背面形成沟槽；
采用激光扫描工艺对所述衬底的背面进行平坦化处理形成P型和N型间隔结构，所述P型和N型间隔结构为所述反向导通型绝缘栅双极型晶体管的反向导通结构；
进行背面金属化工艺，形成背面集电极。
2.根据权利要求1所述的反向导通绝缘栅双极型晶体管制造方法，其特征在于，所述提供正面形成IGBT结构的衬底的步骤之后还包括减薄所述衬底和在所述衬底的背面注入N+离子形成电场中止层的步骤。
3.根据权利要求1所述的反向导通绝缘栅双极型晶体管制造方法，其特征在于，所述提供正面形成IGBT结构的衬底的步骤包括在衬底的背面注入N+离子形成电场中止层和在衬底正面形成IGBT结构的步骤。
4.根据权利要求1所述的反向导通绝缘栅双极型晶体管制造方法，其特征在于，所述采用光刻、刻蚀工艺在所述衬底的背面形成沟槽的步骤包括如下步骤：淀积一层介质层；
通过光刻工艺去除部分介质层形成需要的图形；
通过刻蚀工艺形成沟槽；
去除介质层。
5.根据权利要求4所述的反向导通绝缘栅双极型晶体管制造方法，其特征在于，所述沟槽的深度为0.05～50μm，宽度0.1～500μm。
6.根据权利要求4所述的反向导通绝缘栅双极型晶体管制造方法，其特征在于，所述图形为圆形或者多边形。
7.根据权利要求1所述的反向导通绝缘栅双极型晶体管制造方法，其特征在于，所述衬底的电阻率为0.001～200ohm*cm，厚度为100～1000μm。
8.根据权利要求1至7中任一权利要求所述的反向导通绝缘栅双极型晶体管制造方法，其特征在于，所述激光扫描工艺使用的激光为脉冲激光。
9.根据权利要求8所述的反向导通绝缘栅双极型晶体管制造方法，其特征在于，所述脉冲激光的脉冲持续时间为100ns～2000ns，能量密度为1～10J/cm2，脉冲激光的波长为200nm～10μm。
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