[发明专利]半导体封装件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体封装件，其特征在于，包括：

一基板，具有多个分割道，该多个分割道贯穿该基板，且横向地延伸至该基板的一边缘侧面，使该基板形成数个彼此分离的子基板；

一芯片，设于该基板上；以及

一底胶，形成于该芯片与该基板之间；

其中，该基板具有一重布线路层；该多个分割道横向地经过该重布线路层而延伸至该边缘侧面，但未分割该重布线路层。

2.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该基板具有数个导电孔，该芯片电性连接该些导电孔，该多个分割道横向地绕过该些导电孔而延伸至该边缘侧面。

3.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于：

该重布线路层，电性连接于该基板的一导电孔。

4.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该重布线路层连接相邻的该些子基板。

5.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该基板包括：

一基材，具有一上表面及一下表面；

一第一介电层，形成于该基材的该下表面，并露出该基板的一导电孔；

一重布线路层，形成于露出的该导电孔；以及

一第二介电层，形成于该重布线路层上并露出的该重布线路层的一部分。

6.如权利要求5所述的半导体封装件，其特征在于，该基板更包括：

一第一介电层，形成于该基材的该上表面，并露出该基板的该导电孔；

一重布线路层，形成于露出的该导电孔；以及

一第二介电层，形成于该重布线路层上并露出的该重布线路层的一部分。

7.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该底胶部分形成于该多个分割道。

8.如权利要求5所述的半导体封装件，其特征在于，该基材为玻璃、硅、金属、金属合金或聚合物。

9.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该基板具有相对的一第一边缘侧面与一第二边缘侧面，该多个分割道横向地从该第一边缘侧面延伸至该第二边缘侧面。

10.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该基板具有相邻接的一第一边缘侧面与一第二边缘侧面，该多个分割道横向地从该第一边缘侧面延伸至该第二边缘侧面。

11.一种半导体封装件的制造方法，其特征在于，包括：

设置一基板于一载板上；

形成多个分割道贯穿该基板，且横向地延伸至该基板的一边缘侧面，使该基板形成数个彼此分离的子基板；

设置一芯片于该基板上；

形成一底胶于该芯片与该基板之间；以及

移除该载板；

其中，该基板具有一重布线路层；于形成该多个分割道的步骤中，该多个分割道横向地经过该重布线路层，但未分割该重布线路层。

12.如权利要求11所述的制造方法，其特征在于，该底胶部分形成于该多个分割道。

13.如权利要求11所述的制造方法，其特征在于，于设置该基板于该载板的步骤中，该基板具有数个导电孔；于形成该多个分割道的步骤中，该多个分割道横向地绕过该些导电孔；于设置该芯片于该基板的步骤中，该芯片电性连接该些导电孔。

14.如权利要求11所述的制造方法，其特征在于，一第一介电层形成于该基板的一表面，并露出该基板的一导电孔；

该重布线路层形成于露出的该导电孔；以及

一第二介电层形成于该重布线路层上并露出的该重布线路层的一部分。

15.如权利要求14所述的制造方法，其特征在于，更包括形成于一图案化光阻层于该第二介电层上，该图案化光阻层的分布图案是对应后续形成的该多个分割道。

16.如权利要求11所述的制造方法，其特征在于，于形成该多个分割道的步骤中，是使用干蚀刻。

17.如权利要求14所述的制造方法，其特征在于，更包括形成一开口于该第二介电层上，且该开口的分布是对应后续形成的该多个分割道。