[发明专利]发光二极管元件

权利要求书

1.一种发光二极管元件，包含：

基板，具有第一表面；

多个发光二极管单元，形成在该第一表面上，任一该些发光二极管单元具有一面积，且任一该些发光二极管单元包含：第一半导体层；第二半导体层，形成在该第一半导体层上；以及活性层，形成在该第一半导体层与该第二半导体层之间；

至少一接触发光二极管单元，形成在该第一表面上，其中该接触发光二极管单元具有一面积，且该接触发光二极管单元包含：第一半导体层；第二半导体层，形成在该第一半导体层上；以及活性层，形成在该第一半导体层与该第二半导体层之间；

多个导电配线结构，连接该些多个发光二极管单元及该接触发光二极管单元；以及

第一电极衬垫，形成在该接触发光二极管单元之上，其中该接触发光二极管单元的面积较至少一相邻的发光二极管单元的面积为大。

2.如权利要求1所述的发光二极管元件，其中任意两个该发光二极管单元的面积差异小于20%。

3.如权利要求1所述的发光二极管元件，其中任一该发光二极管单元与该接触发光二极管单元的面积差异小于20%。

4.如权利要求1所述的发光二极管元件，其中还包含金属氧化物层，形成于该第二半导体层之上。

5.如权利要求1所述的发光二极管元件，其中任意两个该多个导电配线结构彼此完全分离，且其中任一该些导电配线结构其第一端形成在该第二半导体层上，直接接触该第二半导体层，并通过该第二半导体层彼此电性连结；其第二端分别形成在另一该发光二极管单元上，直接接触另一该发光二极管单元所包含的该些半导体层其中之一。

6.如权利要求5所述的发光二极管元件，其中该接触发光二极管单元依序具有至少第一至第四个边界，且该第一电极衬垫与该第一及第二边界相邻，以及该接触发光二极管单元的导电配线结构可具有第一延伸部及第二延伸部，其中该导电配线结构与该第四边界相邻，且该第一延伸部往该第一边界延伸及该第二延伸部往该第三边界延伸。

7.如权利要求6所述的发光二极管元件，其中该第一延伸部与该第一边界具有一最短距离X₁，该第二延伸部与该第三边界具有一最短距离X₂，且X₁+X₂<100μm。

8.如权利要求6所述的发光二极管元件，其中该第一延伸部与该第一边界具有一最短距离X₁，该第二延伸部与该第三边界具有一最短距离X₂，且0.9<X₁/X₂<1.2。

9.如权利要求6所述的发光二极管元件，其中该第一延伸部与该第一边界具有一最短距离X₁，该第二延伸部与该第三边界具有一最短距离X₂，且X₁或X₂<80μm。