[发明专利]绝缘栅双极型晶体管及其制备方法

权利要求书

1.一种绝缘栅双极型晶体管的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

提供N型掺杂的半导体衬底，所述半导体衬底具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面；

N型掺杂所述半导体衬底的靠近所述第一表面的区域，以形成缓冲层；

在所述第一表面上形成氧化层；

提供支撑衬底，并在所述第一表面将所述支撑衬底键合至所述半导体衬底；

从所述第二表面对所述半导体衬底进行减薄；

在所述第二表面制备所述绝缘栅双极型晶体管的正面结构；

去除所述支撑衬底以及所述氧化层，以露出所述第一表面；以及

在所述第一表面制备所述绝缘栅双极型晶体管的背面结构。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述背面结构的制备包括：

P型掺杂所述靠近所述第一表面的区域并激活，以形成集电极层，其中所述集电极层的深度小于所述缓冲层的深度；以及

在所述集电极层的表面上制备集电极金属层。

3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述激活包括低温退火、快速热退火或激光退火。

4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述绝缘栅双极型晶体管为平面栅型绝缘栅双极型晶体管或沟槽栅型绝缘栅双极型晶体管。

5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述方法在制备所述正面结构之前还包括对所述第二表面进行表面平坦化处理。

6.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述缓冲层是通过离子注入形成的，注入剂量为1×10¹²～1×10¹⁷离子数/cm²，所述缓冲层的厚度为2～100μm。

7.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述氧化层通过热氧化法或化学气相沉积法制备。

8.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述氧化层的厚度为

9.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，去除所述支撑衬底以及所述氧化层的步骤包括：

通过先减薄后刻蚀的方式以所述氧化层为刻蚀终点地去除所述支撑衬底；以及

通过刻蚀的方式去除所述氧化层。

10.一种绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述绝缘栅双极型晶体管为按照如权利要求1-9中任一项所述方法制备形成。