[发明专利]基于氮化镓高电子迁移率晶体管AB/逆F类多模式功率放大器

权利要求书

1.一种基于氮化镓高电子迁移率晶体管的AB/逆F类多模式功率放大器，其特征在于包括输入偏置网络（28）、输出偏置网络（29）、输入匹配网络（30）和输出匹配网络（31）四大模块，以及晶体管（7）；所述输入偏置网络（28）与输入匹配网络（30）连接，输出偏置网络（29）与输出匹配网络（31）连接，所述晶体管（7）分别与输入匹配网络（30）和输出匹配网络（31）连接。

2.根据权利要求1所述的多模式功率放大器，其特征在于所述晶体管（7）采用氮化镓高电子迁移率晶体管，其晶体管栅极（26）和晶体管漏极（27）分别与输入匹配网络（30）和输出匹配网络（31）连接。

3.根据权利要求1所述的多模式功率放大器，其特征在于所述输入偏置网络（28）由输入二次谐波控制微带（21）连接的电容一（20）、电容一（20）连接的栅极偏置微带（32）、栅极偏置微带（32）连接的输入去耦电容一（19），栅极偏置微带（32）连接的输入去耦电容二（22）和栅极偏置微带（32）连接的输入去耦电容三（23）组成。

4.根据权利要求1所述的多模式功率放大器，其特征在于所述输出偏置网络（29）由输出二次谐波控制微带（15）连接的电容二（16）、电容二（16）连接的漏极偏置微带（33），漏极偏置微带（33）连接的输出去耦电容一（17）、漏极偏置微带（33）连接的输出去耦电容二（24）和漏极偏置微带（33）连接的输出去耦电容三（25）组成。

5.根据权利要求1所述的多模式功率放大器，其特征在于所述输入匹配网络（30）由输入微带线（1）连接的输入隔直电容（2）、输入隔直电容（2）连接的第一微带线（3）、第一微带线（3）连接的输入匹配枝节（4）、输入匹配枝节（4）连接的稳定电阻（5）和稳定电阻（5）连接的第二微带线（6）组成；其中，稳定电阻（5）与输入偏置网络（28）中的输入二次谐波控制微带（21）连接。

6.根据权利要求2或5所述的多模式功率放大器，其特征在于所述晶体管（7）位于载体（18）上，所述晶体管栅极（26）与输入匹配网络（30）中第二微带线（6）连接。

7.根据权利要求1所述的多模式功率放大器，其特征在于所述输出匹配网络（31）由第三微带线（8）连接的三次谐波控制枝节（9）、三次谐波控制枝节（9）连接的第四微带线（10）、第四微带线（10）连接的第五微带线（11）、第五微带线（11）连接的输出匹配枝节（12）、输出匹配枝节（12）连接的输出隔直电容（13）和输出隔直电容（13）连接的输出微带线（14）组成；其中，输出隔直电容（13）与输出偏置网络（29）中的输出二次谐波控制微带（15）连接。

8.根据权利要求2或7所述的多模式功率放大器，其特征在于所述晶体管（7）位于载体（18）上，所述晶体管漏极（27）与输出匹配网络（31）中第三微带线（8）连接。