[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括:

半导体基板，包括第一区和第二区；

在所述第一区上的第一晶体管；和

在所述第二区上的第二晶体管，

其中所述第一晶体管包括第一栅绝缘层图案，所述第二晶体管包括第二栅绝缘层图案，所述第一晶体管和所述第二晶体管两者都包括功函数调整膜图案和栅金属图案，其中所述第一晶体管的功函数调整膜图案包括与所述第二晶体管的功函数调整膜图案相同的材料，所述第一晶体管的栅金属图案包括与所述第二晶体管的栅金属图案相同的材料，包含在所述第一栅绝缘层图案中用于调节所述第一晶体管的阈值电压的金属的浓度不同于包含在所述第二栅绝缘层图案中用于调节所述第二晶体管的阈值电压的金属的浓度。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述金属包括La或Al。

3.如权利要求2所述的半导体器件，其中所述金属不存在于所述第一栅绝缘层图案中而存在于所述第二栅绝缘层图案中。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一晶体管和所述第二晶体管的功函数调整膜图案包括金属氮化物。

5.如权利要求4所述的半导体器件，其中所述金属氮化物包括TiN。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一晶体管的所述功函数调整膜图案接触所述第一晶体管的所述第一栅绝缘层图案和所述栅金属图案，所述第二晶体管的所述功函数调整膜图案接触所述第二晶体管的所述第二栅绝缘层图案和所述栅金属图案。

7.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一晶体管和所述第二晶体管具有不同的导电类型。

8.如权利要求7所述的半导体器件，其中所述第一晶体管和所述第二晶体管具有相同的阈值电压。

9.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一晶体管和所述第二晶体管具有相同的导电类型，所述第二晶体管的阈值电压比所述第一晶体管的阈值电压高。

10.如权利要求9所述的半导体器件，其中所述第一栅绝缘层图案比所述第二栅绝缘层图案薄。

11.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一和第二晶体管的所述栅金属图案包括导电图案和阻挡图案。

12.如权利要求11所述的半导体器件，其中所述导电图案包括Al。

13.如权利要求1所述的半导体器件，还包括形成在所述第一区中的第一鳍部和形成在所述第二区中的第二鳍部，其中所述第一晶体管和所述第二晶体管分别在所述第一鳍部和所述第二鳍部上。

14.一种半导体器件，包括：

半导体基板，包括第一区和第二区；和

第一晶体管和第二晶体管，具有相同的导电类型并且分别在所述第一区和所述第二区上，

其中所述第一晶体管包括顺序地形成在所述半导体基板上的第一栅绝缘层图案、第一功函数调整膜图案和第一栅金属图案，所述第二晶体管包括顺序地形成在所述半导体基板上的第二栅绝缘层图案、第二功函数调整膜图案和第二栅金属图案，其中所述第一栅绝缘层图案和所述第二栅绝缘层图案具有不同的厚度。

15.如权利要求14所述的半导体器件，其中包含在所述第一栅绝缘层图案中用于调节所述第一晶体管的阈值电压的金属的浓度不同于包含在所述第二栅绝缘层图案中用于调节所述第二晶体管的阈值电压的金属的浓度。

16.如权利要求14所述的半导体器件，还包括在所述半导体基板的第三区上的第三晶体管，其中所述第三晶体管包括顺序地形成在所述半导体基板上的第三栅绝缘层图案、第三功函数调整膜图案和第三栅金属图案，其中所述第三栅绝缘层图案的厚度不同于所述第一栅绝缘层图案和所述第二栅绝缘层图案的厚度。

17.如权利要求16所述的半导体器件，其中包含在所述第三栅绝缘层图案中用于调节所述第三晶体管的阈值电压的金属的浓度不同于包含在所述第一和第二栅绝缘层图案的每个中用于调节所述第一和第二晶体管的每个的阈值电压的金属的浓度。

18.如权利要求16所述的半导体器件，其中所述第三晶体管的导电类型与所述第一和第二晶体管的导电类型相同，所述第三晶体管的阈值电压比所述第二晶体管的阈值电压高，所述第二晶体管的阈值电压比所述第一晶体管的阈值电压高。