[发明专利]固体电解电容器及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及固体电解电容器及其制造方法。

背景技术

以往，作为适用于小型化的电容器，公知有固体电解电容器，具有由导电性高分子构成的固体电解质层的固体电解电容器被广泛使用。

例如在日本特开平11-121281号公报(以下记作“专利文献1”)中，记载有安装时的热稳定性较高且可靠性优良的固体电解电容器的制造方法。在专利文献1所记载的固体电解电容器的制造方法中，使包含阳极、电介质氧化覆膜与第一导电性高分子化合物层的电容器元件浸渍在导电性高分子化合物悬浊水溶液中，从而将第二导电性高分子化合物层形成在第一导电性高分子化合物层上。由于这样形成的第二导电性高分子化合物层的外表面具有多处凹凸，因此提高第二导电性高分子化合物层与形成在该第二导电性高分子化合物层上的石墨层之间的嵌合的情况记载于专利文献1中。

在形成由导电性高分子构成的固体电解质层时，存在固体电解质层的厚度局部变薄的情况。在固体电解质层的厚度相对较薄的部分处，阳极体与形成在固体电解质层上的阴极层有可能形成电短路。当阳极体与阴极层形成电短路时，招致短路不合格率的上升或者漏电流(以下记作“LC”)的上升等这样的固体电解电容器的性能降低。

发明内容

本发明是为了解决上述问题点而做成的，其目的在于，提供性能优良的固体电解电容器，其他目的在于，提供所述固体电解电容器的制造方法。

用于解决课题的手段

本发明的固体电解电容器具备：阳极体；电介质被膜，其形成为覆盖阳极体；第一固体电解质层，其形成为覆盖电介质被膜；第二固体电解质层，其形成为覆盖第一固体电解质层的厚度相对较薄的部分，且由导电性高分子构成；以及阴极层，其形成为覆盖第一固体电解质层以及第二固体电解质层。

本发明的固体电解电容器的第一制造方法具备：形成阳极体的工序；以覆盖阳极体的方式形成电介质被膜的工序；以覆盖电介质被膜的方式形成第一固体电解质层的工序；以覆盖第一固体电解质层的厚度相对较薄的部分的方式形成由导电性高分子构成的第二固体电解质层的工序；以及以覆盖第一固体电解质层以及第二固体电解质层的方式形成阴极层的工序。

本发明的固体电解电容器的第二制造方法具备：形成阳极体的工序；以覆盖阳极体的方式形成电介质被膜的工序；以覆盖电介质被膜的方式形成第一固体电解质层的工序；去除在第一固体电解质层上产生的毛刺的工序；以覆盖第一固体电解质层中的、去除了毛刺的部分的方式形成由导电性高分子构成的第二固体电解质层的工序；以及以覆盖第一固体电解质层以及第二固体电解质层的方式形成阴极层的工序。

本发明的上述及其他目的、特征、局面及优点基于与同附图关联进行理解的本发明相关的下述详细说明而明确可知。

附图说明

图1A是表示本发明的一实施方式的固体电解电容器的结构的一个例子的剖视图，图1B是图1A所示的IB区域的放大图。

图2是表示本发明的一实施方式的固体电解电容器的制造方法的一个例子的流程图。

图3A～3C是按照工序顺序表示本发明的一实施方式的固体电解电容器的制造方法的一个例子的剖视图。

图4A～4B是按照工序顺序表示本发明的一实施方式的固体电解电容器的制造方法的一个例子的剖视图。

图5A是表示本发明的另一实施方式的固体电解电容器的结构的一个例子的剖视图，图5B是图5A所示的VB区域的放大图。

图6是表示本发明的另一实施方式的固体电解电容器的制造方法的一个例子的流程图。

图7A～7C是按照工序顺序表示本发明的另一实施方式的固体电解电容器的制造方法的一个例子的剖视图。

图8是表示本发明的又一实施方式的固体电解电容器的结构的一个例子的剖视图。

具体实施方式

以下，参照附图对本发明的固体电解电容器及其制造方法进行说明。需要说明的是，在本发明的附图中，相同的参照附图标记表示相同部分或者相当部分。此外，长度、宽度、厚度、深度等尺寸关系出于附图的明确化与简单化的考虑而进行适当变更，并非表示实际的尺寸关系。

《第一实施方式》

[固体电解电容器的结构]