[发明专利]一种采用植球优化技术的框架csp封装件及其制作工艺

权利要求书

1.一种采用植球优化技术的框架csp封装件，其特征在于：主要由引线框架（1）、镀银层（2）、植球（3）、芯片（4）、键合线（5）和塑封体（6）组成；所述引线框架（1）与芯片（4）通过镀银层（2）相连，键合线（5）从芯片（4）连接到引线框架（1）上，镀银层（2）上有植球（3）, 塑封体（6）包围了引线框架（1）、镀银层（2）、植球（3）、芯片（4）和键合线（5），芯片（4）、键合线（5）、植球（3）和引线框架（1）构成了电路的电源和信号通道；所述引线框架（1）上有镀银层（2），镀银层（2）上有植球（3）和芯片（4），植球（3）在芯片（4）的两端，镀银层（2）、植球（3）和芯片（4）都在引线框架（1）的一侧。

2.一种采用植球优化技术的框架csp封装件的制作工艺，其特征在于：其按照如下具体步骤进行：

（一）晶圆减薄：减薄厚度50μm～200μm，粗糙度Ra 0.10mm～0.05mm；

（二）划片：150μm以上晶圆同普通QFN划片工艺，但厚度在150μm以下晶圆，使用双刀划片机及其工艺；

（三）框架镀银层，镀银层上植球：镀银层（2）及植球同常规csp工艺，不同的是，镀银层（2）和植球（3）都在引线框架（1）的同一侧；

（四）上芯、压焊、塑封：上芯、压焊、塑封同常csp工艺，不同的是，芯片（4）和镀银层（2）、植球（3）都在引线框架（1）的同一侧；

（五）蚀刻引线框架：在产品完成塑封后，使用蚀刻液将引线框架（1）全部蚀刻后，镀银层（2）会全部露出，即可做接触点直接形成连通。