[发明专利]一种介电层材料化学机械抛光液

说明书

技术领域

本发明涉及一种介电层材料化学机械抛光液。

背景技术

传统介电层材料由于具有较高的介电常数，会导致传导层之间电容增大，从而影响集成电路的速度，使效率降低，随着集成电路的复杂化和精细化，这种基底材料越发不能满足更先进制程的技术要求，在衬底中引入低介电材料是集成电路技术发展的必然趋势，随之产生了许多用于低介电材料的抛光浆液。但目前现有技术中的低介电材料抛光液都没有达到制造成本和技术表现的完美结合。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种介电层材料化学机械抛光液。

为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是：

一种介电层材料化学机械抛光液，其特征在于，包括下列重量份数的物质：硫氰酸盐15-35份，碳酸钙7-10份，三乙胺4-13份，酒石酸5-10份，苯甲酸甲酯8-14份，乙二醇丁醚9-15份，马来酸酐8-15份，硼酸锌4-13份，聚乙烯酯8-14份，二甲基二巯基乙酸异辛酯锡23-28份，磷酸二氢钾2-4份，分子筛1-2份，硅藻土1份，硼酸钠2-4份，片层结构的云母粉1份，空心玻璃微珠1-2份。

本发明的化学机械抛光液可抑制低介电材料的抛光速率，而对铜和二氧化硅的去除速率影响不大，同时可减少被抛光材料的表面污染物。

具体实施方式

实施例1

一种介电层材料化学机械抛光液，其特征在于，包括下列重量份数的物质：硫氰酸盐15-35份，碳酸钙7-10份，三乙胺4-13份，酒石酸5-10份，苯甲酸甲酯8-14份，乙二醇丁醚9-15份，马来酸酐8-15份，硼酸锌4-13份，聚乙烯酯8-14份，二甲基二巯基乙酸异辛酯锡23-28份，磷酸二氢钾2-4份，分子筛1-2份，硅藻土1份，硼酸钠2-4份，片层结构的云母粉1份，空心玻璃微珠1-2份。