[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：

第1电极；

第2电极；

第1导电型的第1半导体层，设置于所述第1电极与所述第2电极之间，与所述第1电极接触；

第1导电型的第2半导体层，包括设置于所述第1半导体层与所述第2电极之间的第1部分和设置于所述第1电极与所述第2电极之间并与所述第1电极进行肖特基接触的第2部分，所述第2半导体层的有效杂质浓度比所述第1半导体层的有效杂质浓度低；

第1导电型的第3半导体层，设置于所述第2半导体层与所述第2电极之间，所述第3半导体层的有效杂质浓度比所述第2半导体层的有效杂质浓度低；以及

第2导电型的第4半导体层，设置于所述第3半导体层与所述第2电极之间，与所述第2电极接触。

2.一种半导体装置，具备：

第1电极；

第2电极；

第1导电型的第1半导体层，设置于所述第1电极与所述第2电极之间，与所述第1电极接触；

第1导电型的第2半导体层，包括设置于所述第1半导体层与所述第2电极之间的第1部分和设置于所述第1电极与所述第2电极之间并与所述第1电极接触的第2部分，所述第2半导体层的有效杂质浓度比所述第1半导体层的有效杂质浓度低；

第1导电型的第3半导体层，设置于所述第2半导体层与所述第2电极之间，所述第3半导体层的有效杂质浓度比所述第2半导体层的有效杂质浓度低；以及

第2导电型的第4半导体层，设置于所述第3半导体层与所述第2电极之间，与所述第2电极接触，

从所述第1电极朝向所述第2电极的方向上的、所述第2半导体层的杂质浓度分布的峰值位于所述第1半导体层与所述第3半导体层之间。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，

还具备第2导电型的第5半导体层，所述第5半导体层包括与所述第4半导体层接触的第3部分和设置于所述第3半导体层与所述第2电极之间并与所述第2电极接触的第4部分，所述第5半导体层的有效表面的杂质浓度比所述第4半导体层的有效表面的杂质浓度低。

4.根据权利要求2所述的半导体装置，

还具备与所述第1电极接触的第2导电型的第6半导体层，

所述第2半导体层与所述第1电极、所述第6半导体层、以及所述第1半导体层相接。

5.根据权利要求2所述的半导体装置，

从所述第1电极上的与所述第1半导体层接触的第1区域的重心到所述第1区域的端缘的距离，比从所述第2电极上的与所述第4半导体层接触的第2区域的重心到所述第2区域的端缘的距离长。

6.根据权利要求3所述的半导体装置，

多个所述第1半导体层和多个所述第4半导体层设置于所述第1电极与所述第2电极之间。

7.一种半导体装置，具备：

第1电极；

第2电极；

第1导电型的第1半导体层，设置于所述第1电极与所述第2电极之间，与所述第1电极接触；

第1导电型的第2半导体层，包括设置于所述第1半导体层与所述第2电极之间的第1部分和设置于所述第1电极与所述第2电极之间并与所述第1电极接触的第2部分，所述第2半导体层的有效杂质浓度比所述第1半导体层的有效杂质浓度低；

第1导电型的第3半导体层，设置于所述第2半导体层与所述第2电极之间，所述第3半导体层的有效杂质浓度比所述第2半导体层的有效杂质浓度低；

第2导电型的第4半导体层，设置于所述第3半导体层与所述第2电极之间，与所述第2电极接触；以及

第2导电型的第5半导体层，包括设置于所述第4半导体层与所述第3半导体层之间的第3部分和设置于所述第3半导体层与所述第2电极之间并与所述第2电极接触的第4部分，所述第5半导体层的有效杂质浓度比所述第4半导体层的有效杂质浓度低，

从所述第1电极上的与所述第1半导体层接触的第1区域的重心到所述第1区域的端缘的距离，比从所述第2电极上的与所述第4半导体层接触的第2区域的重心到所述第2区域的端缘的距离长。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，

所述第1电极上的与所述第1半导体层接触的第1区域沿着一方向延伸，

所述第2电极上的与所述第4半导体层接触的第2区域沿着所述一方向或与所述一方向交叉的另一方向的任意一方延伸，

所述第1区域的宽度比所述第2区域的宽度大。