[发明专利]COMS图像传感器及其制作方法

权利要求书

1.一种COMS图像传感器的制作方法，其特征在于，包括：

提供一半导体衬底；

进行第一离子注入在所述半导体衬底表面形成第一掺杂区；

在所述半导体衬底上依次形成栅极氧化层和栅极多晶硅，构成传输晶体管，所述第一掺杂区位于栅极多晶硅一侧；

进行第二离子注入在所述半导体衬底内部形成第二掺杂区，所述第二掺杂区位于所述栅极多晶硅的另一侧，与第一掺杂区的掺杂类型相反；

在所述半导体衬底上沉积一层介质层，以图案化的光刻胶层为掩膜刻蚀所述介质层，然后去除图案化的光刻胶层，形成栅极侧墙；

进行第三离子注入在所述半导体衬底表面形成第三掺杂区，其位于所述第二掺杂区的上方，与第二掺杂区掺杂类型相反，所述第二掺杂区与第三掺杂区构成感光二极管；

去除半导体衬底表面的介质层；

对所述第一掺杂区进行第四次离子注入，在所述第一掺杂区中形成第四掺杂区，所述第四掺杂区与所述第一掺杂区的掺杂类型相反，所述浮置扩散区包括所述第一掺杂区和所述第四掺杂区。

2.如权利要求1所述的COMS图像传感器的制作方法，其特征在于，所述第一掺杂区与第三掺杂区为p型掺杂区。

3.如权利要求2所述的COMS图像传感器的制作方法，其特征在于，所述第二掺杂区与第四掺杂区为n型掺杂区。

4.如权利要求3所述的COMS图像传感器的制作方法，其特征在于，所述第三掺杂区的掺杂离子为硼。

5.如权利要求1所述的COMS图像传感器的制作方法，其特征在于，所述介质层包括第一氧化硅层、氮化硅层以及第二氧化硅层。

6.如权利要求5所述的COMS图像传感器的制作方法，其特征在于，栅极侧墙的形成步骤包括：在所述介质层表面形成光刻胶层；对所述光刻胶层进行曝光与显影形成图案化的光刻胶层；以图案化的光刻胶层为掩膜，对所述介质层进行刻蚀，在半导体衬底上剩余部分厚度的第一氧化硅层，然后去除所述图案化的光刻胶层。

7.如权利要求6所述的COMS图像传感器的制作方法，其特征在于，剩余的第一氧化硅层的厚度为

8.如权利要求1所述的COMS图像传感器的制作方法，其特征在于，去除的介质层为第一氧化硅层。

9.一种使用权利要求1～8所述的COMS图像传感器的制作方法制作的COMS图像传感器，其特征在于，包括：

半导体衬底；

位于所述半导体衬底中的浮置扩散区、传输晶体管、感光二极管；

所述浮置扩散区包括所述第一掺杂区和所述第四掺杂区，所述第一掺杂区与所述第四掺杂区的掺杂类型相反，所述第四掺杂区位于所述第一掺杂区中；

所述感光二极管包括第二掺杂区和第三掺杂区，所述第二掺杂区与所述第三掺杂区的掺杂类型相反，所述第三掺杂区位于所述第二掺杂区上方；所述第二掺杂区与第一掺杂区的掺杂类型相反；

所述传输晶体管包括：位于所述半导体衬底上的栅极氧化层及栅极多晶硅，位于所述栅极多晶硅周围的侧墙；所述第一掺杂区与第二掺杂区位于栅极多晶硅的两侧。