[发明专利]检测光阻层离子注入阻挡能力的方法

权利要求书

1.一种检测光阻层离子注入阻挡能力的方法，其特征在于，包括：

在基板上形成光阻层；

测量所述基板任意位置上光阻层的第一厚度，所述第一厚度为所述光阻层的厚度；

在所述光阻层上注入预设量的离子；

测量所述任意位置上光阻层的第二厚度，所述第二厚度为所述光阻层中硬化部分的厚度；

根据所述第二厚度判断所述第一厚度的光阻层的离子注入阻挡能力。

2.根据权利要求1所述的检测光阻层离子注入阻挡能力的方法，其特征在于，在基板上形成光阻层包括：

对所述基板进行前烘处理；

在经过所述前烘处理后的基板上形成光刻胶层；

对所述光刻胶层进行曝光和显影处理，得到光阻层。

3.根据权利要求2所述的检测光阻层离子注入阻挡能力的方法，其特征在于，所述前烘处理的前烘温度为10～120℃，所述前烘处理的时间为10～120s。

4.根据权利要求2所述的检测光阻层离子注入阻挡能力的方法，其特征在于，对所述光刻胶层进行曝光和显影处理，得到光阻层，包括：

对于不同位置的光刻胶层采用不同的曝光时间进行曝光，得到不同厚度的光阻层。

5.根据权利要求4所述的检测光阻层离子注入阻挡能力的方法，其特征在于，所述光阻层的厚度从所述基板的长度方向或宽度方向呈梯度变化。

6.根据权利要求1所述的检测光阻层离子注入阻挡能力的方法，其特征在于，根据所述第二厚度判断所述第一厚度的光阻层的离子注入阻挡能力包括：

计算所述第二厚度与所述第一厚度的比值；

判断所述比值是否小于或等于预先设置的阈值，若是，确定所述第一厚度的光阻层具有离子注入阻挡能力，否则，确定所述第一厚度的光阻层不具有离子注入阻挡能力。

7.根据权利要求6所述的检测光阻层离子注入阻挡能力的方法，其特征在于，所述阈值为区间[0.85,0.95]中的任意值。