[发明专利]像素驱动单元及其驱动方法、像素电路无效

专利信息
申请号: 201310385314.3 申请日: 2013-08-29
公开(公告)号: CN103440846A 公开(公告)日: 2013-12-11
发明(设计)人: 马占洁 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: G09G3/32 分类号: G09G3/32
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 韩国胜
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 像素 驱动 单元 及其 方法 电路
【权利要求书】:

1.一种像素驱动单元,其特征在于,包括驱动子电路和控制子电路;其中,所述控制子电路连接数据线,所述驱动子电路连接所述控制子电路。

2.如权利要求1所述的像素驱动单元,其特征在于,所述控制子电路包括控制晶体管;其中,所述控制晶体管的栅极连接所述数据线和所述控制晶体管的漏极;所述控制晶体管的漏极连接所述驱动子电路。

3.如权利要求2所述的像素驱动单元,其特征在于,包括至少三条所述驱动子电路;其中,

各所述驱动子电路均包括扫描信号线、开关晶体管、存储电容、驱动晶体管和发光器件;

所述开关晶体管的栅极连接所述扫描信号线,源极连接所述控制晶体管的漏极,漏极分别连接所述驱动晶体管的栅极和所述存储电容的第一端;

所述驱动晶体管的源极分别连接第一电压端和所述存储电容的第二端,漏极连接所述发光器件的阳极;

所述发光器件的阴极连接第二电压端。

4.根据权利要求3所述的像素驱动单元,其特征在于,所述发光器件为有机电致发光二极管。

5.根据权利要求4所述的像素驱动单元,其特征在于,所述控制晶体管、开关晶体管和驱动晶体管均为P型场效应晶体管。

6.一种如权利要求2-5中任一所述的像素驱动单元的驱动方法,其特征在于,包括:

所述数据线将数据电压分别加载至所述控制晶体管的栅极和漏极;使所述控制晶体管的漏极具有所述数据电压和所述控制晶体管的阀值电压;

所述控制晶体管的漏极将所述数据电压连同所述控制晶体管的阀值电压加载至所述驱动子电路。

7.如权利要求6所述的像素驱动单元的驱动方法,其特征在于,还包括如下步骤:

存储阶段,所述扫描信号线开启所述开关晶体管;所述控制晶体管的漏极将所述数据电压连同所述控制晶体管的阀值电压通过所述开关晶体管加载至所述驱动晶体管的栅极及所述存储电容;

驱动阶段,所述扫描信号线关闭所述开关晶体管;所述存储电容使所述驱动晶体管保持开启,以此驱动所述发光器件发光。

8.一种像素电路,其特征在于,包括多条所述数据线,每条所述数据线上连接多个如权利要求1-5中任一所述像素驱动单元。

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