[发明专利]在半导体管芯上形成支撑层的半导体器件和方法

权利要求书

1.一种制作半导体器件的方法，包括：

提供半导体管芯；

在所述半导体管芯上形成第一支撑层，其中所述第一支撑层在延伸超过所述半导体管芯的所述第一支撑层的区域中包括开口；

在所述半导体管芯周围和所述第一支撑层的侧表面上以及在所述第一支撑层中的所述开口中形成密封剂；

在所述半导体管芯和密封剂上形成与所述第一支撑层相对的互连结构，其中与所述互连结构相对的所述密封剂的表面的最外部分没有所述第一支撑层，以及

在所述第一支撑层上形成包括纤维增强聚合复合物材料的第二支撑层，所述纤维增强聚合复合物材料包括所包含的面积比半导体管芯的占位区的面积大的占位区。

2.根据权利要求1的方法，还包括形成具有小于10ppm/K的热膨胀系数的所述第一支撑层。

3.根据权利要求1的方法，还包括将所述第一支撑层形成为包括所包含的面积比所述半导体管芯的占位区的面积大的占位区。

4.根据权利要求1的方法，还包括：

从所述半导体管芯的第二表面移除材料，使得半导体管芯包括小于450微米(µm)的厚度；以及

形成所述半导体器件，使得所述半导体管芯的厚度比所述半导体器件的总厚度与所述互连结构和所述第二支撑层的厚度之间的差异小至少1µm。

5.一种制作半导体器件的方法，包括：

提供半导体管芯；

在所述半导体管芯上并延伸超过所述半导体管芯形成第一支撑层；

在所述半导体管芯周围和所述第一支撑层的侧表面上形成密封剂;

在所述半导体管芯和密封剂上形成与所述第一支撑层相对的互连结构，其中所述第一支撑层包括所包含的面积比所述互连结构的占位区的面积小的占位区并且所述第一支撑层包括比所述半导体器件的宽度小的宽度；以及

在所述第一支撑层上形成第二支撑层，其包括纤维增强聚合复合物材料并包括大于所述第一支撑层的面积的占位区。

6.根据权利要求5的方法，还包括在所述半导体管芯的表面上将所述第一支撑层形成为玻璃基板或硅晶片。

7.根据权利要求5的方法，其中所述第一支撑层在延伸超过所述半导体管芯的所述第一支撑层的区域中包括开口。

8.根据权利要求5的方法，还包括：

将所述第一支撑层形成为包括热膨胀系数在10-300ppm/K范围内的翘曲平衡层；以及

将所述第二支撑层形成为聚合物基体复合材料。

9.根据权利要求5的方法，还包括：

在所述半导体管芯周围形成密封剂；以及

移除所述密封剂的一部分以露出所述半导体管芯的表面或所述第一支撑层的表面。

10.一种半导体器件，包括：

半导体管芯；

在所述半导体管芯上形成的并进一步延伸超过所述半导体管芯的第一支撑层；

在所述半导体管芯周围和所述第一支撑层的侧表面上形成的密封剂；

在所述半导体管芯和密封剂上形成的与所述第一支撑层相对的互连结构，其中所述密封剂的与所述互连结构相对的表面的最外部分没有所述第一支撑层，以及

在所述第一支撑层上形成包括纤维增强聚合复合物材料的第二支撑层，所述纤维增强聚合复合物材料包括所包含的面积比半导体管芯的占位区的面积大的占位区。

11.根据权利要求10的半导体器件，其中第二支撑层在所述半导体管芯周围的外围区域处嵌在半导体器件内，所述第二支撑层在所述半导体器件内延伸至少50微米的距离。

12.根据权利要求10的半导体器件，其中所述第一支撑层包括由环氧树脂和玻璃纤维形成的核心材料，所述环氧树脂和玻璃纤维包括在4-150ppm/K范围内的热膨胀系数，并且所述第一支撑层还包括所包含的面积比所述半导体管芯的占位区的面积大的占位区。