[发明专利]基板处理方法

说明书

技术领域

公开于此的本发明涉及一种用于制造半导体基板的方法，尤其涉及一种基板处理方法。

背景技术

通常来说，通过在诸如硅片的基板上执行诸如照相处理、刻蚀处理、离子注入处理以及沉积处理的多种处理来制造半导体器件。

而且，在执行每种处理的同时，执行用于除去附着在基板上的不同污染物的清洗处理。清洗处理包括：通过使用化学品除去附着在基板上的污染物的化学处理过程；通过使用纯水去除剩余在基板上的化学品的湿清洗处理；以及通过供给干流体（dry fluid）干燥剩余在基板表面上的纯水的干燥处理。

在过去，通过将加热的氮气供给剩余有纯水的基板上来执行干燥处理。然而，当形成在基板上的每个图案的线宽减小和每个图案的高宽比增加时，难于去除存在于图案之间的纯水。目前，可以用诸如具有比纯水高的挥发性和低的表面张力的异丙醇的液体有机溶剂来代替纯水，并且而后可以供给加热的氮气以干燥基板。

发明内容

本发明提供了一种能够提高在基板上的干燥效率的基板处理方法。

本发明还提供了一种防止基板上的图案在基板处理过程期间倾斜的基板处理方法。

本发明的特征并不限于前述内容，而对于本领域的技术人员来说，根据该说明书和附图可以清楚理解未在此描述的其它特征。

本发明的实施例提供了基板处理方法，其包括：通过使用化学溶液处理基板；通过使用化学溶液处理基板后，通过使用纯水冲洗基板；以及通过使用有机溶剂处理基板，其中，该基板处理方法进一步包括在化学溶液处理和有机溶液处理之间用疏水膜涂覆基板。

在一些实施例中，在冲洗基板之后，执行用疏水膜涂覆基板。

在其它实施例中，基板处理方法可以进一步包括在冲洗基板和使用疏水膜涂覆基板之间，将有机溶剂供给到基板上以用有机溶剂替代在基板上的纯水。

仍在其它实施例中，有机溶剂可以包括异丙醇（IPA）。

还在其它实施例中，使用疏水膜涂覆所述基板包括将包含与在基板上的图案表面上的硅（Si）反应的基于硅氧烷的疏水化合物的水溶性涂层溶液提供到所述基板上。

还在其它实施例中，使用疏水膜涂覆基板包括将有机涂层溶液提供到所述基板上，所述有机涂层溶液是将与在基板上的图案表面上的硅（Si）反应的基于硅氧烷的疏水化合物与有机溶剂混合。

在进一步的实施例中，该基板处理方法可以进一步包括在干燥基板后除去疏水膜。

附图说明

附图用以提供对本发明的进一步理解，并且将这些附图并入说明书中且构成该说明书的一部分。附图图示说明了本发明的示例性实施例，其并连同附图说明一起用于解释本发明的原理。在附图中：

图1是根据实施例的基板处理装置的平面图；

图2是示出根据实施例的图1的基板清洗装置的横截面视图；

图3是示出使用图1的基板处理装置的基板处理方法的流程图；以及

图4是示出使用图1的基板处理装置的基板处理方法的流程图。

具体实施方式

下面将参照附图对本发明的优选实施例进行更加详细地描述。然而，本发明可以不同形式体现并且不应构造成对在本文中阐述的实施例的限制。当然，提供这些实施例以使得对于本领域的技术人员来说，此公开将是全面的、完整的并且将充分地表达本发明的范围。在附图中，为了清楚起见，放大了元件的形状。

图1是根据实施例的基板处理装置的平面图。

参照图1，基板处理装置1包括分度器（index）模块10和过程处理模块20。分度器模块10包括装载端口120和转移框架140。将装载端口120、转移框架140和过程处理模块20连续地布置成一直线。在下文中，装载端口120、转移框架140和过程处理模块20的布置方向被称为第一方向12。而且，当从上侧观看时，垂直于第一方向12的方向称为第二方向14，并且垂直于与第一方向12和第二方向14平行的平面的方向称为第三方向16。

容纳有基板的载体18位于装载端口120上。设有多个装载端口120。将多个装载端口120沿第二方向14布置成一直线。装载端口120的数量可以根据过程处理模块20的处理效率和表面区域（foot print）情况增加或者减少。将用于容纳处于将基板布置成与地面平行的状态下的基板的多个狭槽限定于载体18中。前开式晶圆盒（FOUP）可以用作载体18。