[发明专利]一种基于光子晶体缺陷模式实现受激拉曼探测方法无效
申请号: | 201310384857.3 | 申请日: | 2013-08-29 |
公开(公告)号: | CN103487424A | 公开(公告)日: | 2014-01-01 |
发明(设计)人: | 吴一辉;余慕欣 | 申请(专利权)人: | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
主分类号: | G01N21/65 | 分类号: | G01N21/65 |
代理公司: | 长春菁华专利商标代理事务所 22210 | 代理人: | 张伟 |
地址: | 130033 吉*** | 国省代码: | 吉林;22 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 光子 晶体缺陷 模式 实现 受激拉曼 探测 方法 | ||
1.一种基于光子晶体缺陷模式实现受激拉曼探测方法,其特性在于,该方法的步骤如下:
步骤一:设计并制备一种具有高Q值105~106,高灵敏度RIU>700和宽波长选择区间Δλ>50nm的带缺陷结构的平板光子晶体;
步骤二:在缺陷结构内搭建检测系统,通过改变被测环境溶液折射率调节光子晶体缺陷结构纳米谐振腔共振频率,在发生受激拉曼散射的频率上测量拉曼位移以及光强变化;
步骤三:利用拉曼光谱数据库进行组分分析,通过拉曼位移判断样本组成成分;通过光强变化量获得样本浓度,实现利用光子晶体缺陷模式实现对被测样本的受激拉曼检测。
2.根据权利要求1所述的一种基于光子晶体缺陷模式实现受激拉曼探测方法,其特征在于:制备光子晶体材料为硅或者III-V族半导体材料,光子晶体晶格常数为正方形晶格、三角形晶格或者蜂窝型晶格。
3.根据权利要求1所述的一种基于光子晶体缺陷模式实现受激拉曼探测方法,其特征在于:光子晶体缺陷结构纳米谐振腔为单模或者多模谐振腔。
4.根据权利要求1所述的一种利用光子晶体缺陷模式实现受激拉曼检测的方法,其特征在于:检测系统的耦合输出端为锥形光纤,锥形光纤可为单模、多模光纤通过高温火焰激光熔融拉伸或者化学腐蚀形成锥形。
5.根据权利要求1所述的一种基于光子晶体缺陷模式实现受激拉曼探测方法,其特征在于:光子晶体缺陷结构为单个带缺陷光子晶体或者带缺陷光子晶体阵列结构。
6.根据权利要求1所述的一种基于光子晶体缺陷模式实现受激拉曼探测方法,其特征在于:光子晶体缺陷结构通过利用纳米压,双光子或者电子束光刻以及相应的刻蚀工艺实现。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,未经中国科学院长春光学精密机械与物理研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310384857.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。