[发明专利]具有钝化层的半导体器件

权利要求书

1. 一种半导体器件，包括：

半导体本体，其包括第一表面；

布置在第一表面上的接触电极；以及

在第一表面上与所述接触电极邻近的钝化层，所述钝化层包括层堆叠，所述层堆叠具有第一表面上的无定形半绝缘层、所述无定形半绝缘层上的第一氮化物层、以及第一氮化物层上的第二氮化物层。

2. 根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述无定形半绝缘层包括aSiC:H和aC:H中的至少一个。

3. 根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述钝化层还包括：

第一氮化物层与第二氮化物层之间的中间层。

4. 根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述中间层具有的硬度低于所述接触电极的材料的硬度，并且高于第一和第二氮化物层中的一个的硬度。

5. 根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述中间层具有处于50GPa与70GPa之间的杨氏模量，以及其中所述中间层的硬度处于7GPa与10GPa之间。

6. 根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述中间层包括硅酸盐玻璃。

7. 根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述中间层包括USG、PSG、BSG和BPSG中的至少一个。

8. 根据权利要求3所述的半导体器件，

其中，所述接触电极具有侧壁和上表面；以及

其中，所述中间层和第二氮化物层覆盖所述接触电极的侧壁和上表面的一部分。

9. 根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述接触电极包括铝、铜、铝合金、以及铜合金中的至少一个。

10. 根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述接触电极与所述无定形半绝缘层和第一氮化物层交叠。

11. 根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述接触电极具有侧壁和上表面；以及

其中，第二氮化物层覆盖所述接触电极的侧壁和上表面的一部分。

12. 根据权利要求1所述的半导体器件，还包括第一掺杂半导体区和第二掺杂半导体区，第一掺杂半导体区和第二掺杂半导体区形成pn结，其中所述接触电极被连接到第二掺杂半导体区。

13. 根据权利要求12所述的半导体器件，

其中，所述pn结延伸到第一表面；以及

其中，所述钝化层覆盖第一表面之上的pn结。

14. 根据权利要求12所述的半导体器件，其中，所述半导体器件被实施为二极管，以及其中第一掺杂半导体区形成所述二极管的基极区并且第二掺杂半导体区形成发射极区。

15. 根据权利要求12所述的半导体器件，其中，所述半导体器件被实施为MOS晶体管，以及其中第一掺杂半导体区形成所述MOS晶体管的漂移区并且第二掺杂半导体区形成本体区。

16. 根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

由所述接触电极所接触的掺杂半导体区；以及

所述接触电极与所述掺杂半导体区之间的肖特基结。

17. 一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：

提供具有第一表面的半导体本体；

在第一表面上形成包括无定形半绝缘层和第一氮化物层的第一层堆叠，第一层堆叠具有开口；

在所述开口中形成接触电极；以及

在第一层堆叠上形成第二氮化物层。

18. 根据权利要求17所述的方法，其中，所述无定形半绝缘层包括aSiC:H和aC:H中的至少一个。

19. 根据权利要求17所述的方法，还包括在形成第二氮化物层之前在第一层堆叠上形成中间层。

20. 根据权利要求19所述的方法，其中，所述中间层具有硬度，所述中间层的硬度低于所述接触电极的材料的硬度并且高于第一和第二氮化物层中的一个的硬度。

21. 根据权利要求19所述的方法，其中，所述中间层包括硅酸盐玻璃。