[发明专利]高性能光纤板卡供电装置无效
申请号: | 201310383577.0 | 申请日: | 2013-08-29 |
公开(公告)号: | CN103428004A | 公开(公告)日: | 2013-12-04 |
发明(设计)人: | 胡钢;邱昆 | 申请(专利权)人: | 成都成电光信科技有限责任公司 |
主分类号: | H04L12/10 | 分类号: | H04L12/10;H04B10/27 |
代理公司: | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人: | 谢敏 |
地址: | 610000 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 性能 光纤 板卡 供电 装置 | ||
技术领域
本发明涉及一种供电装置,更具体的说是涉及一种高性能光纤板卡供电装置。
背景技术
由于光纤通信具有容量大、传送信息质量高、传输距离远、性能稳定、防电磁 、抗腐蚀能力强等优点。而光纤通道是一种高性能的串行传输协议,具有高宽带、高实时性的特点,已经成为新一代先进综合电子系统网络互连的首选方案。光纤数据卡作为电子系统与网络的接口,是构成电子网络的关键部分,其研究已经成为重要且迫切的任务。光纤板卡上的供电器一般采用一级供电的方式,即12V电源通过电源管理芯片直接为FPGA内部的各模块或存储器等模块供电,但是,由于采用统一供电的方式,其相互间有时会产生影响,使光纤板卡的性能受到影响。
发明内容
本发明提供一种高性能光纤板卡供电装置,其采用单独供电的方式为光纤板卡上的各模块供电,在物理上将各模块隔离,即保证了各模块的功率要求,又使得各模块之间不会相互影响,以达到优越的性能。
为解决上述的技术问题,本发明采用以下技术方案:
高性能光纤板卡供电装置,它包括端口A和端口B,所述的端口A上连接有第一一级电源管理芯片,所述的第一一级电源管理芯片上连接有多个二级电源管理芯片,所述的端口B上连接有多个电源管理第二一级管理芯片。
在本发明中,通过向端口A和端口B接入不同电压值的电压,第一一级电源管理芯片对接入端口A的电压做初步处理,二级电源管理芯片再对电压做二次处理,多个二级电源管理芯片可分别连接在光纤板卡个模块上,分别为个模块提供电能。端口B上接入的电压值应比端口A的电压值小,其可直接被光纤板卡上的模块利用,即可直接连接在光纤板卡上的模块上,也可通过第二一级管理芯片对端口B上的电压做处理后提供给光纤板卡上的各模块。其光纤板卡上各模块的供电方式采用单独的供电方式,即避免了统一供电时有些模块功率不足的问题,也从物理上将各模块隔离开,使得各模块之间不会相互影响,以达到优越的性能。
更进一步的技术方案是:
所述的第一一级电源管理芯片为PTH1200W。
所述的二级电源管理芯片有3个。
所述的二级电源管理芯片包括PTH08T240W和两个TPS75525。
在本发明中,由于FPGA内的各模块的电源需求不一致,即各模块所需的电源电压不一致。端口A接入12V电源电压,第一一级电源管理芯片PTH1200W对提供的12V的电源进行预处理,使其转换为5.0V,二级电源管理芯片分别连接在FPGA的各引脚上,为其内部模块供电。PTH08T240W连接于FPGA的VCCINT引脚上,其将5.0V电源转化为1.0V。两个TPS75525分别连接FPGA的VCCAUX引脚和VCCO引脚上,其将5.0V电源转化为2.5V。
所述的第二一级管理芯片包括LM1117和4个TPS7410。
在本发明中,端口B接入3.3V电源电压,其可直接为光纤板卡上的模块利用,也可通过第二一级管理芯片的处理后提供给光纤板卡上的模块利用。LM1117可将端口B提供的3.3V电压转化为1.8V,TPS7410可将端口B提供的3.3V电压转化为1.2V。
与现有技术相比,本发明的有益效果是:
1、本发明的光纤板卡采用单独供电的方式为各模块供电,在物理上将各模块隔离,即保证了各模块的功率要求,又使得各模块之间不会相互影响,以达到优越的性能。
2、本发明的结构简单,易于实现。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细说明。
图1为本发明的电路原理图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作进一步的说明。本发明的实施方式包括但不限于下列实施例。
[实施例]
如图1所示的高性能光纤板卡供电装置,它包括端口A和端口B,所述的端口A上连接有第一一级电源管理芯片,所述的第一一级电源管理芯片上连接有多个二级电源管理芯片,所述的端口B上连接有多个电源管理第二一级管理芯片。
所述的第一一级电源管理芯片为PTH1200W。
所述的二级电源管理芯片有3个。
所述的二级电源管理芯片包括PTH08T240W和两个TPS75525。
所述的第二一级管理芯片包括LM1117和4个TPS7410。
如上所述即为本发明的实施例。本发明不局限于上述实施方式,任何人应该得知在本发明的启示下做出的结构变化,凡是与本发明具有相同或相近的技术方案,均落入本发明的保护范围之内。
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