[发明专利]偏移侧墙及晶体管的形成方法

权利要求书

1.一种偏移侧墙的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底上形成多晶硅栅极；

氧化所述多晶硅栅极的侧壁形成偏移侧墙。

2.如权利要求1所述的偏移侧墙的形成方法，其特征在于，形成所述多晶硅栅极的方法包括：

在所述基底上形成多晶硅层；

在所述多晶硅层上形成图形化的光刻胶，所述图形化的光刻胶定义多晶硅栅极的位置；

以所述图形化的光刻胶为掩膜，刻蚀所述多晶硅层，形成多晶硅栅极。

3.如权利要求2所述的偏移侧墙的形成方法，其特征在于，形成多晶硅栅极后，使用自由基氧化或热氧化法氧化所述多晶硅栅极的侧壁，然后去除所述图形化的光刻胶。

4.如权利要求3所述的偏移侧墙的形成方法，其特征在于，使用自由基氧化法氧化所述多晶硅栅极的侧壁的方法包括：

将形成有多晶硅栅极的基底放入反应腔内；

在所述反应腔内通入O₂和H₂，并在所述反应腔内施加电压，使O₂产生氧自由基；

在所述基底上施加偏置电压，使所述氧自由基与所述多晶硅栅极侧壁发生反应，在所述多晶硅栅极侧壁形成偏移侧墙。

5.如权利要求4所述的偏移侧墙的形成方法，其特征在于，所述反应腔内的温度为500-1000℃，所述O₂的体积分数为10%-60%。

6.如权利要求1或3所述的偏移侧墙的形成方法，其特征在于，所述偏移侧墙的厚度为4-10nm。

7.如权利要求2所述的偏移侧墙的形成方法，其特征在于，在所述基底上形成多晶硅层前，在所述基底上由下至上依次形成有高k介质层和用于保护所述高k介质层的保护层。

8.如权利要求7所述的偏移侧墙的形成方法，其特征在于，以所述图形化的光刻胶为掩膜，刻蚀所述多晶硅层时，所述刻蚀停止于所述多晶硅层下表面或保护层中，形成偏移侧墙后，使用湿法刻蚀去除暴露的保护层和高k介质层。

9.如权利要求7所述的偏移侧墙的形成方法，其特征在于，以所述图形化的光刻胶为掩膜，刻蚀所述多晶硅层时，所述刻蚀停止于高k介质层中，形成偏移侧墙后，使用湿法刻蚀去除暴露的高k介质层。

10.如权利要求2所述的偏移侧墙的形成方法，其特征在于，在所述基底上形成多晶硅层前，在所述基底上形成第一氧化硅层，所述多晶硅层形成于所述第一氧化硅层上。

11.如权利要求2所述的偏移侧墙的形成方法，其特征在于，在所述多晶硅层上形成图形化的光刻胶前，在所述多晶硅层上形成硬掩膜层，所述图形化的光刻胶形成在所述硬掩膜层上。

12.如权利要求11所述的偏移侧墙的形成方法，其特征在于，在所述硬掩膜层上形成图形化的光刻胶前，在所述硬掩膜层上由下至上依次形成有无定形碳、第二氧化硅层和抗反射层。

13.如权利要求12所述的偏移侧墙的形成方法，其特征在于，所述抗反射层为含硅抗反射层。

14.如权利要求7所述的偏移侧墙的形成方法，其特征在于，所述高k介质层的材料为HfSiON、HfO₂、HfSiO、HfTaO、HfTiO、HfZrO、Al₂O₃、La₂O₃、ZrO₂、或LaAlO。

15.如权利要求7所述的偏移侧墙的形成方法，其特征在于，所述保护层的材料为TaN或TiN。

16.如权利要求11所述的偏移侧墙的形成方法，其特征在于，所述硬掩膜层的材料为氮化硅或氮氧化硅。

17.一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：

使用1-16任一所述的方法形成偏移侧墙。