[发明专利]一种硅片制绒的清洗方法

权利要求书

1.一种硅片制绒的清洗方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

提供一硅片；

采用第一清洗液对所述硅片进行第一次预清洗，去除硅片上的有机物污染及硅片表面的颗粒杂质；

采用第三清洗液对经第一次预清洗后的硅片进行第二次预清洗，进一步去除硅片上的有机物；

对经第二次预清洗后的硅片进行制绒工艺，在硅片上形成绒面；

采用第二清洗液对制绒后的硅片进行制绒后清洗，去除硅片上的金属离子污染。

2.如权利要求1所述的硅片制绒的清洗方法，其特征在于，所述第一清洗液为SC1清洗液，所述SC1清洗液为NH₄OH、H₂O₂与H₂O的混合清洗液，其中，NH₄OH、H₂O₂与H₂O的体积比为1：(1～2)：(5～7)。

3.如权利要求2所述的硅片制绒的清洗方法，其特征在于，所述对硅片进行第一次预清洗具体为：将硅片在60-80℃温度条件下置于第一清洗液中浸泡3-5min；然后用纯水清洗。

4.如权利要求1或2或3所述的硅片制绒的清洗方法，其特征在于，所述第三清洗液为SC3清洗液，所述SC3清洗液为H₂SO₄、H₂O₂和H₂O的混合清洗液，其中，H₂SO₄、H₂O₂与H₂O的体积比为(1～2)：1：(3～4)。

5.如权利要求4所述的硅片制绒的清洗方法，其特征在于，所述对经第一次预清洗后的硅片进行第二次预清洗具体为：将经第一次预清洗后的硅片在60-80℃温度条件下置于第三清洗液中浸泡3-5min，然后用纯水进行清洗。

6.如权利要求5所述的硅片制绒的清洗方法，其特征在于，所述第二清洗液为SC2清洗液，所述SC2清洗液为HCl、H₂O₂和H₂O的混合清洗液，其中，HCl、H₂O₂与H₂O的体积比为1：(1～2)：(6～8)。

7.如权利要求6所述的硅片制绒的清洗方法，其特征在于，所述采用第二清洗液对制绒后的硅片进行制绒后清洗具体为：将制绒后的硅片先用纯水进行清洗，然后在60-80℃温度条件下置于第二清洗液中浸泡5-7min，再用纯水进行清洗。