[发明专利]一种线切碎硅片杂质的处理方法有效
| 申请号： | 201310381931.6 | 申请日： | 2013-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN103406344A | 公开（公告）日： | 2013-11-27 |
| 发明（设计）人： | 颜玉峰;张冰蕾;付振东;张玉亮;刘存国;闫广宁;李永峰 | 申请（专利权）人： | 河北宁晋松宫半导体有限公司 |
| 主分类号： | B09B3/00 | 分类号： | B09B3/00 |
| 代理公司： | 河北东尚律师事务所 13124 | 代理人： | 王文庆 |
| 地址： | 055550 河*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 切碎 硅片 杂质 处理 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种线切碎硅片杂质的处理方法，其特征在于：所述方法包括以下步骤：
S1、用马弗炉对碎硅片烘烤1～2小时，设定烘烤温度为550～800度；
S2、烘烤完成后，快速将高温的碎硅片取出并用自来水反复冲洗；
S3、冲洗完成后，用浓度10～30%的氢氧化钠碱液清洗碎硅片，清洗过程中不断搅拌，时间控制在10～30分钟；清洗完成后，用纯水反复冲洗碎硅片，直至PH试纸测试PH<9为止；
S4、将碱液清洗后的碎硅片放入酸液中浸泡24小时，酸液配比为：HCL：HF：H2O=1：1：1～2；浸泡完成后，用纯水冲洗碎硅片，直至PH试纸测试PH>6为止；
S5、将酸液清洗后的碎硅片放入超声波清洗器中进行超声波清洗，时间保持20分钟；从超声波清洗器中取出碎硅片，用烘箱烘烤20～40小时，烘箱温度设定为100～120度。
2.根据权利要求1所述的一种线切碎硅片杂质的处理方法，其特征在于：所述步骤S1中，用马弗炉对碎硅片烘烤前，对碎硅片进行人工分检。
3.根据权利要求1所述的一种线切碎硅片杂质的处理方法，其特征在于：所述步骤S1中，设定烘烤温度为650度。
4.根据权利要求1所述的一种线切碎硅片杂质的处理方法，其特征在于：所述步骤S5中，用烘箱烘烤碎硅片32小时。
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