[发明专利]针对先进后段制程的新颖封装多金属分支足部结构的系统和方法

权利要求书

1.一种器件，包括：

半导体衬底；

在所述半导体衬底中的多个晶体管；

在所述半导体衬底上面的第一金属间电介质层；

在所述第一金属间电介质层上面的多个第一金属轨道；

在所述第一金属轨道中的至少一个第一金属轨道的顶部、底部和侧部上的第一保护电介质层；

在所述第一金属轨道和所述第一保护电介质层上面的第二金属间电介质层；

在所述第二金属间电介质层上面的多个第二金属轨道；以及

在所述第二金属轨道中的至少一个第二金属轨道的顶部、底部和侧部上的第二保护电介质层，所述第一金属间电介质层和所述第二金属间电介质层相对于所述第一保护电介质层和所述第二保护电介质层选择性地可蚀刻。

2.根据权利要求1所述的器件，包括在所述第一金属间电介质层和所述第二金属间电介质层中的第一过孔，所述第一保护电介质层形成确定所述第一过孔的一个宽度尺度的至少一个侧壁。

3.根据权利要求2所述的器件，包括在所述第一过孔中的第一传导塞，所述第一塞与所述第二金属轨道中的至少一个金属轨道一体。

4.根据权利要求1所述的器件，其中所述第一保护电介质层包括氮化硅。

5.根据权利要求4所述的器件，其中所述第一保护电介质层包括碳。

6.根据权利要求5所述的器件，其中所述第一保护电介质层具有少于50nm的厚度，并且所述第一金属间电介质层具有大于100nm的厚度。

7.根据权利要求1所述的器件，包括：

在所述第二金属间电介质层上面的第三金属间电介质层；

在所述第三金属间电介质层上面的多个第三金属轨道；

覆盖所述第三金属轨道中的至少一个第三金属轨道的顶部、底部和侧部的第三保护电介质层；

在所述第三金属轨道和所述第三保护电介质层上面的第四金属间电介质层；

在所述第四金属间电介质层上面的多个第四金属轨道；以及

覆盖所述第四金属轨道中的至少一个第四金属轨道的顶部、底部和侧部的第四保护电介质层。

8.根据权利要求7所述的器件，包括在所述第三金属间电介质层和所述第四金属间电介质层中的暴露第二塞的第二过孔。

9.根据权利要求8所述的器件，包括在所述第二过孔中的将所述至少一个第四金属轨道电耦合到所述至少一个第二金属轨道的第二塞。

10.一种器件，包括：

半导体衬底；

在所述半导体衬底上面的第一金属间电介质层；

在所述第一金属间电介质层上面的第一金属轨道；

在所述第一金属轨道的顶部、底部和侧部表面上的保护电介质层；

在所述第一金属轨道和所述第一保护电介质层上面的第二金属间电介质层；

在所述第二金属间电介质层上的第二金属轨道；

在所述第二金属轨道的顶部、底部和侧部表面上的保护电介质层；

在所述第一金属间电介质层和所述第二金属间电介质层中的第一过孔，所述第一保护电介质层形成限定所述第一过孔的宽度尺度的至少一个侧壁；以及

在所述第一过孔中的第一传导塞。

11.根据权利要求10所述的器件，包括：

在所述第二金属间电介质中的第二过孔；

所述第二过孔中的连接所述第二金属轨道与所述第一金属轨道的第二塞。

12.根据权利要求11所述的器件，其中所述第一塞、所述第二塞和所述第二金属轨道相互一体。