[发明专利]一种薄膜及其制备方法、发光显示器件

说明书

技术领域

本发明涉及平板显示器制造技术领域，尤其涉及一种薄膜及其制备方法、发光显示器件。

背景技术

有机电致发光显示器件（Organic Light Emitting Diode，OLED）是一种利用电流驱动有机半导体薄膜发光的器件，其结构属于夹层式结构，通常由阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极等组成。在外电场的作用下，电子和电空穴被注入至有机发光层，然后在发光层内复合后形成激子，由激子辐射衰减而发光。由于OLED具有高对比度、高亮度、自发光、宽色域和轻薄有等特点，被视为比较具有发展前景的一代显示技术。

OLED按照出光方向可分为底发射结构（底部出光）和顶发射结构(顶部出光)。底发射OLED器件的透明阳极位于透明衬底上面，透明阳极上是多层有机薄膜层，有机薄膜层上面是全反射金属或合金阴极，光线透过阳极从衬底方向发射出。顶发射OLED器件，其阳极用的是全反射金属，顶部阴极是很薄的半透明金属或合金薄膜，光线从顶部阴极发射出。

在OLED器件的制造工艺中，包括多种薄膜制备工艺，例如底发射结构发光显示器件的阳极薄膜工艺，又例如发光显示器件的阴极薄膜工艺。但是存在的主要问题是，目前的成膜工艺容易产生微针孔（pin-hole），尤其是沉积阳极薄膜或阴极薄膜中的各超薄膜层（小于100埃的薄膜）时，出现微针孔的概率非常高，当该薄膜用于发光显示器件，将降低器件的稳定性和发光效率。

发明内容

本发明的目的是提供一种薄膜及其制备方法、发光显示器件，以解决现有工艺制备的薄膜的微针孔较多，用于显示器的发光显示器件时，影响器件稳定性的发光效率的问题。

本发明的目的是通过以下技术方案实现的：

本发明实施例提供一种薄膜，包括形成于基板之上的第一膜层，以及形成于所述第一膜层与所述基板之间且与所述第一膜层直接接触的第二膜层；与所述第一膜层接触的所述第二膜层的表面经过活化处理。

优选的，所述薄膜还包括第三膜层，所述第三膜层形成于所述基板与所述第二膜层之间，且与所述第二膜层直接接触。

优选的，所述薄膜还包括过渡层，所述过渡层形成于所述基板与所述第三膜层之间，与所述第三膜层直接接触的所述过渡层的表面经过活化处理。

优选的，所述第一膜层的材质为透明导电氧化物，所述透明导电氧化物为氧化铟锡、氧化铟锌和氧化锌铝中的任意一种，所述第二膜层的材质为金、银、铜、铝和银合金中的任意一种。

优选的，所述第一膜层的厚度为5～15纳米，所述第二膜层的厚度为80～150纳米。

优选的，所述第三膜层的材质为透明导电氧化物，所述透明导电氧化物为氧化铟锡、氧化铟锌和氧化锌铝中的任意一种。

优选的，所述第三膜层的厚度为5～15纳米。

本发明实施例有益效果如下：由于与第一膜层接触的第二膜层的表面经过活化处理，其表面能增加，在此基础上形成超薄的第一膜层时，使第一膜层具有较高的致密性，减小了第一膜层产生微针孔的概率。

本发明实施例提供一种发光显示器件，包括如上所述的薄膜，所述发光显示器件为顶发射结构，所述薄膜为阳极薄膜或阴极薄膜；或者，所述发光显示器件为底发射结构，所述薄膜为阴极薄膜。

本发明实施例有益效果如下：由于与第一膜层接触的第二膜层的表面经过活化处理，其表面能增加，在此基础上形成超薄的第一膜层时，提高了薄膜的超薄膜层的致密性，产生微针孔的概率较小；该薄膜应用于发光显示器件时，能够提高器件的稳定性和发光效率。

本发明实施例提供一种薄膜的制备方法，所述薄膜包括形成于基板之上的第一膜层，以及形成于所述第一膜层与所述基板之间且与所述第一膜层直接接触的第二膜层；方法包括形成所述第一膜层的步骤和形成所述第二膜层的步骤，以及形成所述第一膜层前，对所述第二膜层的表面进行活化处理的步骤。

优选的，所述对所述第二膜层的表面进行活化处理，包括：

用氦离子、氖离子、氩离子、氪离子、氙离子和氡离子中的任意一种离子的等离子体轰击所述第二膜层的表面。

优选的，用等离子体轰击所述第二膜层的表面的频率为13.56MHz，轰击时间为60秒～300秒。

优选的，在形成所述第二膜层前，还包括在所述基板形成第三膜层的步骤，所述第三膜层与后续形成的所述第二膜层直接接触。

优选的，在形成所述第三膜层前，还包括在所述基板上形成过渡层以及对所述过渡层的表面进行活化处理的步骤，所述过渡层与后续形成的所述第三膜层直接接触。