[发明专利]MEMS封闭腔体的制作方法无效
| 申请号： | 201310380237.2 | 申请日： | 2013-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN103449358A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 徐元俊;杨海波;郑欢 | 申请（专利权）人： | 上海先进半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mems 封闭 制作方法 | ||
1.一种MEMS封闭腔体的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一半导体衬底，在其上形成牺牲氧化层；
对所述牺牲氧化层进行第一次刻蚀，形成腔体的边界图形；
在所述牺牲氧化层上沉积腔体停止层；
对所述腔体停止层进行第二次刻蚀，形成腔体刻蚀孔阵列；
通过所述腔体刻蚀孔阵列对所述牺牲氧化层进行第三次刻蚀；
通过所述腔体刻蚀孔阵列对所述半导体衬底进行第四次刻蚀，形成腔体；
填充所述腔体刻蚀孔阵列，形成封闭腔体。
2.如权利要求1所述的MEMS封闭腔体的制作方法，其特征在于，所述半导体衬底的材质为单晶硅。
3.如权利要求1所述的MEMS封闭腔体的制作方法，其特征在于，所述牺牲氧化层的材质为二氧化硅。
4.如权利要求1所述的MEMS封闭腔体的制作方法，其特征在于，所述腔体停止层为低应力抗酸介质。
5.如权利要求4所述的MEMS封闭腔体的制作方法，其特征在于，所述腔体停止层为氮化硅或者多晶硅。
6.如权利要求5所述的MEMS封闭腔体的制作方法，其特征在于，所述第二次刻蚀采用等离子体进行干法刻蚀。
7.如权利要求1所述的MEMS封闭腔体的制作方法，其特征在于，所述第一次刻蚀和第三次刻蚀均采用BOE溶液进行湿法刻蚀。
8.如权利要求1所述的MEMS封闭腔体的制作方法，其特征在于，所述第四次刻蚀采用TMAH或KOH进行湿法刻蚀。
9.如权利要求1所述的MEMS封闭腔体的制作方法，其特征在于，填充所述腔体刻蚀孔阵列采用的材料为多晶硅。
10.如权利要求9所述的MEMS封闭腔体的制作方法，其特征在于，采用低压化学气相沉积法沉积所述多晶硅。
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