[发明专利]一种芯片失效分析样品的制备方法有效
| 申请号： | 201310379862.5 | 申请日： | 2013-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN104422606B | 公开（公告）日： | 2017-03-29 |
| 发明（设计）人： | 文智慧;李日鑫;高保林;苏新亭 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G01N1/28 | 分类号： | G01N1/28;G01N1/32;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 失效 分析 样品 制备 方法 | ||
1.一种芯片失效分析样品的制备方法，其特征在于，至少包括以下步骤：
1）提供一芯片，所述芯片具有一正面及一背面，且所述芯片包裹有封装膜塑；
2）于所述芯片中定义目标层，对所述芯片的正面一侧进行研磨，去除所述正面一侧的封装塑膜及部分的芯片，直至研磨面与所述目标层表面之间具有一预设间距；
3）于所述研磨面表面形成保护层；
4）去除剩余的封装膜塑；
5）采用抛光工艺去除所述保护层，并继续抛光直至露出所述目标层。
2.根据权利要求1所述的芯片失效分析样品的制备方法，其特征在于：所述封装膜塑的材料为环氧树脂。
3.根据权利要求1所述的芯片失效分析样品的制备方法，其特征在于：步骤2）中，采用砂纸对所述封装塑膜及芯片进行研磨。
4.根据权利要求1所述的芯片失效分析样品的制备方法，其特征在于：步骤2）中，先将包裹有封装膜塑的芯片固定于承载片上，并于所述芯片四周将多个辅助片固定于所述承载片上，然后再对所述芯片进行研磨。
5.根据权利要求1所述的芯片失效分析样品的制备方法，其特征在于：步骤2）中，所述预设间距为100～150nm。
6.根据权利要求1所述的芯片失效分析样品的制备方法，其特征在于：步骤3）中，采用化学气相沉积法形成所述保护层。
7.根据权利要求1所述的芯片失效分析样品的制备方法，其特征在于：所述保护层的厚度为20nm～50nm。
8.根据权利要求1所述的芯片失效分析样品的制备方法，其特征在于：所述保护层的材料为二氧化硅、氮化硅、铂金或钨。
9.根据权利要求8所述的芯片失效分析样品的制备方法，其特征在于：步骤4）中，采用硝酸溶液去除剩余的封装膜塑。
10.根据权利要求1所述的芯片失效分析样品的制备方法，其特征在于：步骤5）中，采用绒布盘对所述保护层及芯片进行抛光。
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