[发明专利]层叠型线圈部件有效
申请号: | 201310378924.0 | 申请日: | 2013-08-27 |
公开(公告)号: | CN103632817A | 公开(公告)日: | 2014-03-12 |
发明(设计)人: | 佐藤英和;石间雄也;户泽洋司;远藤贵志 | 申请(专利权)人: | TDK株式会社 |
主分类号: | H01F27/28 | 分类号: | H01F27/28 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 杨琦 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 层叠 线圈 部件 | ||
技术领域
本发明涉及层叠型线圈部件。
背景技术
日本专利申请公开2005-167108号公报公开了具有以下所述制造工序的层叠型线圈部件的制造方法,各工序分别为:导电性膏体准备工序,该导电性膏体包含导电性粒子和具有热分解性的树脂粒子并且较构成陶瓷素体的陶瓷材料更具热收缩性;丝网印刷工序,使用该导电性膏体来将导体图形印刷到陶瓷坯料薄片上;层叠体形成工序;通过层叠多层导体图形被印刷的陶瓷坯料薄片并实行压合从而形成层叠体;烧成工序,烧成该层叠体。
如果在脱粘合剂过程中残留碳残留于导电性膏体内,则在接下来的烧成处理中残留碳会发生气化膨胀,并且会有陶瓷坯料薄片被烧结形成的陶瓷素体与导电性粒子被烧结形成的内部导体的界面成为压合状态的现象。然而,如果使用了具有上述热分解性的导电性膏体,则在导电性粒子进行烧结之前树脂粒子被烧掉或者完全消失。因此,陶瓷素体与内部导体的界面成为压合状态的现象受到抑制。因此,因为在陶瓷素体与内部导体的界面上形成空隙并且在该界面上变得难以残留微小的应力,所以能够谋求到电气特性和可靠性的提高。
发明内容
然而,层叠型线圈部件由于其构造和制造方法等理由,与卷绕金属线的绕线型线圈部件相比较其Q值(quality factor)相对较低。然而,近年来特别是伴随着要求能够对应于高频的元件而即使相对于层叠型线圈部件也要求有高Q值。现有的层叠型线圈部件不能够实现满足这样要求的高Q值。
本发明就是为了解决这样的技术问题而悉心研究之结果,其目的在于提供一种能够获得高Q值的层叠型线圈部件。
本发明人发现,在多个空孔沿着线圈导体内长边方向排列存在于线圈导体内的情况下,对应于表示在垂直于长边方向的平面上的空孔面积相对于线圈导体的截面积的比例的空孔率能够获得高Q值,以至于完成了本发明。
即,本发明的一个方面所涉及的层叠型线圈部件,具备通过层叠多层绝缘体层而形成的素体、通过电连接多个线圈导体而形成于素体内部的线圈部,在线圈导体内沿着其长边方向排列而存在多个空孔,表示在垂直于长边方向的平面上的空孔面积相对于线圈导体的截面积的比例的空孔率的、从线圈导体一端到另一端的平均值即平均空孔率为15%以上。
对应于空孔率能够获得高Q值的理由可以如下进行考虑。因为伴随于空孔率变大而空孔以及线圈导体的合计的截面积也变大,所以线圈导体的外形的大小变大。因此,在垂直于长边方向的平面上的线圈导体的周长变长。总之,线圈导体的轮廓对应于空孔的有无或者空孔的大小而发生变化,并且空孔越大则线圈导体的外形变得越大。在高频电流流到导体的情况下,因为由于趋肤效应而使得电流只流到导体表面近旁,所以该周长变长导致电流流过的截面积的增加。因此,线圈导体的电阻变小。Q值因为与线圈导体的电阻大小成反比,所以伴随于线圈导体的低电阻化而能够获得高Q值。特别是通过将平均空孔率控制在15%以上,从而即使是在层叠型线圈部件中也能够获得与绕线型线圈部件同等以上的Q值。
根据本发明,在层叠型线圈部件中能够获得高Q值。
附图说明
图1是表示本实施方式所涉及的层叠型线圈部件的截面图。
图2是表示本实施方式的其它例子所涉及的层叠型线圈部件的截面图。
图3是表示在线圈部配置层的软化点低的情况下具有保形层的情况和没有保形层的情况下的烧成时的素体状态的模式图。
图4是表示素体的状态与线圈导体的表面的平滑性的关系的模式图。
图5是表示层叠型线圈部件的线圈导体的截面的照片。
图6是放大表示导体图形的一部分的截面图。
图7是相对于空孔率表示与绕线型线圈部件的Q值的乖离的大小的关系的示意图。
图8是表示线圈导体的表面的平滑性与表面电阻的关系的模式图。
具体实施方式
以下是参照附图并就本发明的实施方式进行说明,但是以下的实施方式是为了说明本发明的例示,其宗旨并不是将本发明限定于以下所述内容。在说明过程中将相同符号标注于具有相同要素或者具有相同功能的要素上从而省略重复的说明。
如图1以及图2所示,层叠型线圈部件1具备通过层叠多层绝缘体层而形成的素体2、由多个线圈导体4,5而形成于素体2内部的线圈部3、形成于素体2的两端面的一对外部电极6。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于TDK株式会社,未经TDK株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310378924.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。