[发明专利]计算装置以及计算装置的操作方法在审

专利信息
申请号: 201310378896.2 申请日: 2013-08-27
公开(公告)号: CN103631533A 公开(公告)日: 2014-03-12
发明(设计)人: 朴永辰;丁日奎 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06;G06F12/02
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 张云珠;金光军
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 计算 装置 以及 操作方法
【说明书】:

本申请要求于2012年8月27日提交到韩国知识产权局的第10-2012-0093851号韩国专利申请的优先权,该申请的整个公开通过引用全部包含于此。

背景技术

示例性实施例涉及一种电子装置。更具体地讲,示例性实施例涉及一种电子装置及其操作方法。

半导体存储器装置可以是使用半导体(例如,硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等)制造的存储器装置(memory device)。半导体存储器装置可被分类为易失性存储器装置和非易失性存储器装置。

易失性存储器装置可以是在断电时丢失存储的数据的存储器装置。易失性存储器装置可包括:静态RAM(SRAM)、动态RAM(DRAM)、同步DRAM(SDRAM)等。非易失性存储器装置可在断电时保留存储的内容。非易失性存储器装置包括:只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程R0M(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、闪速存储器装置、相变RAM(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)、铁电RAM(FRAM)等。

现有技术的计算装置可将易失性存储器(例如,DRAM、SRAM等)用作工作存储器,并将非易失性存储器(例如,HDD、闪速存储器等)用作存贮器(storage)。现有技术的易失性存储器会在断电时丢失存储的数据。因此,当再次供电时,计算装置可将数据存储在易失性存储器。针对将非易失性随机存取存储器(例如,PRAM、MRAM、FeRAM、RRAM等)用作计算装置的工作存储器,已经进行了研究和研发。所述研究和研发的目的在于提高现有技术的计算装置的性能。

发明内容

示例性实施例的一方面可提供一种计算装置,包括:第一随机存取存储器;第二随机存取存储器;存储器控制器,被配置为控制第一随机存取存储器和第二随机存取存储器;处理器,被配置为通过存储器控制器将第一随机存取存储器和第二随机存取存储器用作工作存储器,其中,存储器控制器被配置为访问在第一随机存取存储器和第二随机存取存储器当中通过来自处理器的传送命令所选择的一个存储器。

在示例实施例中,第一随机存取存储器是非易失性随机存取存储器,第二随机存取存储器是易失性随机存取存储器。

在示例实施例中,当从处理器传送正常存取命令时,存储器控制器访问第二随机存取存储器,当从处理器传送非易失性存取命令时,存储器控制器访问第一随机存取存储器。

在示例实施例中,存储器控制器被配置为管理非易失性数据表,其中,所述非易失性数据表包括关于存储在第一随机存取存储器中的数据的信息。

在示例实施例中,所述非易失性数据表包括:关于存储数据的地址的信息、与所述数据相关的进程以及所述数据的标识符。

在示例实施例中,存储器控制器被配置为将非易失性数据表存储在第一随机存取存储器。

在示例实施例中,当计算装置接通电源时,存储器控制器被配置为从第一随机存取存储器读取非易失性数据表。

在示例实施例中,第一随机存取存储器是非易失性随机存取存储器的第一部分,第二随机存取存储器是易失性随机存取存储器的第二部分。

在示例实施例中,当计算装置接通电源时,存储器控制器被配置为对第二随机存取存储器进行复位。

在示例实施例中,存储器控制器被配置为当从处理器接收到正常复位命令时对第二随机存取存储器进行复位。

在示例实施例中,存储器控制器被配置为当从处理器接收到非易失性复位命令时对第一随机存取存储器进行复位。

示例性实施例的另一方面可提供一种计算装置的操作方法,其中,所述计算装置将第一随机存取存储器和第二随机存取存储器用作工作存储器。所述操作方法包括:产生数据;确定产生的数据是第一类型数据还是第二类型数据;当产生的数据是第一类型数据时,将产生的数据存储在第一随机存取存储器,当产生的数据是第二类型数据时,将产生的数据存储在第二随机存取存储器。

在示例实施例中,第一类型数据是管理为非易失性的数据,第二类型数据是管理为易失性的数据,第一随机存取存储器是非易失性随机存取存储器,第二随机存取存储器是易失性随机存取存储器。

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