[发明专利]显示屏

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术及制造领域，特别涉及一种显示屏。

背景技术

近年来，随着科技的发展，显示器的制造技术和工艺都在不断完善，其中使用较为普遍的TFT-LCD（Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，薄膜晶体管-液晶显示器）以其图像显示品质好、能耗低、环保等优势占据着显示器领域的重要位置，以及随着技术发展而出现的AMOLED（Active Matrix Organic Light Emitting Diode，有源矩阵有机发光二极体面板）也在显示器技术中被广泛使用。但是无论是TFT-LCD还是AMOLED，其中的TFT（Thin Film Transistor，薄膜晶体管）在长时间的使用后都会出现特性退化的现象，主要表现为阈值电压漂移、开态电流减小、漏电流变大等。目前已知温度、湿度、光照均会对TFT特性产生不利影响，导致TFT特性退化。

以AMOLED显示器采用低温多晶硅TFT为例，由于薄膜晶体管的阈值电压变大，使得薄膜晶体管漏极输出的充电电流减小，现有的低温多晶硅（Low Temperature Poly-silicon，LTPS）显示器件在工艺制程中晶体管的阈值电压Vth均匀性较差，而且在使用过程中还会发生阈值电压漂移的问题，当向驱动晶体管DTFT输入相同数据电压Vdata时，由于驱动晶体管DTFT的阈值电压不同而产生不同的驱动电流，进一步导致AMOLED亮度的均匀性较差，直接影响显示器的显示效果。

以TFT-LCD为例，由于TFT的退化导致开态电流变小，在一定的充电时间内，充电不满足要求则会出现屏幕颜色不真实，发暗或者闪烁的情况，影响了显示的效果。

因此需要对显示器的TFT特性进行测试，特别是TFT信赖性测试。目前对TFT特性的测试方法是经过信赖性测试一定时间后，对已经制作完好的显示器进行破坏性拆解，需要拆解显示器的背光源、分离彩膜、洗去液晶，之后再对拆解出的阵列基板进行TFT特性的测试。

但是利用上述TFT特性测试方法需要将显示器进行拆解，TFT特性测试完成后，用于本次TFT特性测试的显示器也将完全报废，不能再继续进行信赖性测试及其他光学测试，浪费成本。

发明内容

（一）要解决的技术问题

本发明要解决的技术问题是：如何实现在不拆解显示屏的情况下测试薄膜晶体管的特性。

（二）技术方案

为解决上述技术问题，本发明提供了一种显示屏，所述显示屏包括显示面板和驱动线路板，所述显示面板的阵列基板上设置有至少一个虚拟像素单元和至少一个真实像素单元，所述虚拟像素单元与所述真实像素单元连接，所述虚拟像素单元设置有第一测试线，用于测试所述虚拟像素单元中薄膜晶体管的特性；

在所述显示面板的上方还设置有驱动线路板，所述驱动线路板设置有测试点，所述虚拟像素单元通过所述第一测试线与所述驱动线路板上的测试点连接。

优选的，所述第一测试线包括栅极测试线、源极测试线和漏极测试线，所述测试点包括栅极测试点、源极测试点和漏极测试点。

优选的，所述虚拟像素单元包括栅极线，所述栅极线上形成有栅绝缘层，所述栅绝缘层上形成有有源层，所述有源层上形成有源极和漏极，所述栅极测试线与所述栅极线连接，所述源极测试线与所述源极连接，所述漏极测试线和像素电极与所述漏极连接，所述栅极线连接所述阵列基板上同行的虚拟像素单元和真实像素单元；

所述虚拟像素单元的栅极线、栅绝缘层、有源层、源极、漏极和像素电极分别与所述真实像素单元的栅极线、栅绝缘层、有源层、源极、漏极和像素电极在同一层上以相同的宽度形成；

所述虚拟像素单元的源极测试线与所述真实像素单元的数据线在同一层上以相同的宽度形成。

优选的，所述虚拟像素单元的栅极线与所述真实像素单元的栅极线连接。

优选的，所述虚拟像素单元还设置有数据线，所述数据线连接同列的虚拟像素单元和真实像素单元。

优选的，所述虚拟像素中栅极测试线和栅极线通过所述栅绝缘层上的过孔由透明电极材料连接。

优选的，所述虚拟像素单元设置在阵列基板上对应所述显示面板显示区域以外的区域，所述真实像素单元设置在阵列基板上对应所述显示面板显示区域的边缘。

优选的，所述显示屏还设置有柔性连接线路板，所述测试线穿过柔性连接线路板连接所述驱动线路板上的测试点。

优选的，所述驱动线路板上还设置有第二测试线和所述真实像素单元的驱动线。