[发明专利]用于镍-磷涂覆的存储磁盘的包含混杂研磨剂的抛光组合物有效

专利信息
申请号: 201310377657.5 申请日: 2013-08-27
公开(公告)号: CN103627327A 公开(公告)日: 2014-03-12
发明(设计)人: R.洛皮塔亚;S.帕拉尼萨米钦纳萨姆比;H.西里沃达尼 申请(专利权)人: 嘉柏微电子材料股份公司
主分类号: C09G1/02 分类号: C09G1/02;B24B29/00;G11B5/84
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 宋莉
地址: 美国伊*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 用于 磷涂覆 存储 磁盘 包含 混杂 研磨剂 抛光 组合
【说明书】:

背景技术

对存储磁盘或硬磁盘(memory or rigid disks)的提高的存储容量的要求以及存储磁盘或硬磁盘的小型化趋势(例如,由于对计算机设备中的更小的硬驱动器的要求)持续强调存储磁盘或硬磁盘制造过程的重要性,所述制造过程包括为了确保最高性能而对这样的磁盘进行的平坦化或抛光。虽然存在若干种用于与半导体器件制造结合使用的化学-机械抛光(CMP)组合物和方法,但常规的CMP方法或市售的CMP组合物几乎没有非常适于存储磁盘或硬磁盘的平坦化或抛光的。

术语“存储磁盘或硬磁盘”是指用于以电磁形式保存信息的任何磁盘、硬盘、硬磁盘或存储磁盘。存储磁盘或硬磁盘典型地具有包括镍-磷的表面,但存储磁盘或硬磁盘表面可包括任何其它适宜的材料。必须改善存储磁盘或硬磁盘的平面性,因为随着记录密度的改善(其要求磁头相对于存储磁盘或硬磁盘的更低浮动高度(flying height)),磁盘驱动器的记录头与存储磁盘或硬磁盘的表面之间的距离减小。为了允许更低的磁头浮动高度,需要改善存储磁盘或硬磁盘的表面光洁度(finish)。

影响磁头浮动高度的存储磁盘或硬磁盘的表面特性包括波纹度(waviness)和微波纹度(microwaviness)。波纹度或翘曲度(warp)是在整个磁盘表面上的平面度的总偏差。可存在表面偏差的中间形式,其在本文中称为微波纹度。微波纹度是对于约为转换头长度的一系列波长的磁盘表面波纹度。使用当前的技术,这些波长大约在10~5000微米的范围内。对于低的浮动磁头高度,微波纹度可产生空气轴承共振(airbearing resonance),从而导致过度的磁头到磁盘间距调制。由微波纹度导致的间距调制可导致在磁盘表面上的差的数据重写,并且在一些情况下甚至可导致磁头与磁盘表面的碰撞,引起对磁盘表面和/或记录头的损坏。

在存储磁盘或硬磁盘的抛光期间,典型地,磁盘的边缘接收比磁盘的其余表面高的来自抛光工具的压力,这导致在磁盘的边缘处形成弯曲的或圆形的轮廓。圆形的边缘区域在本领域中称为边缘轧去(roll-off)、磨去(rub-off)或刮掉(dub-off)。磁盘上的这样的圆形的区域不适合用于记录。

通常,用于存储磁盘或硬磁盘的抛光组合物包含研磨剂以提高基材的移除速率。高的移除速率还通过提高抛光垫对基材的向下力而实现。但是,向下力的提高导致研磨剂颗粒变得嵌入到基材表面中,该结果负面地影响微波纹度和表面粗糙度。

本领域中仍然需要用于对存储磁盘或硬磁盘进行平坦化或抛光的抛光组合物和方法,其使嵌入的研磨剂、微波纹度和边缘轧去最小化,而不牺牲基材的移除速率。

发明内容

本发明提供包含(a)研磨剂和(b)水的抛光组合物,其中,所述研磨剂包含(i)具有0.8:1-1.2:1的平均纵横比(aspect ratio)的第一α氧化铝颗粒、(ii)具有大于1.2:1的平均纵横比的第二α氧化铝颗粒、(iii)热解氧化铝颗粒和(iv)湿法二氧化硅颗粒。

本发明提供抛光基材的方法,所述方法包括:(i)提供基材,尤其是包含至少一层镍-磷的基材,(ii)提供抛光垫,(iii)提供本发明的抛光组合物,(iv)使所述基材的表面与所述抛光垫和所述抛光组合物接触,和(v)研磨所述基材的所述表面的至少一部分以从所述基材的所述表面除去所述基材的至少一些部分(至少某部分,at least some portion),尤其是镍-磷的至少一些部分(至少某部分),和抛光所述基材的所述表面。

附图说明

图1是具有0.8:1-1.2:1的平均纵横比的α氧化铝颗粒的扫描电子显微镜(SEM)图像。

图2是具有大于1.2:1的平均纵横比的α氧化铝颗粒的SEM图像。

具体实施方式

本发明提供抛光组合物,其包含研磨剂和水、基本上由研磨剂和水组成、或者由研磨剂和水组成。所述研磨剂包含下列物质、基本上由下列物质组成、或者由下列物质组成:(i)具有0.8:1-1.2:1的平均纵横比的第一α氧化铝颗粒,(ii)具有大于1.2:1的平均纵横比的第二α氧化铝颗粒,(iii)热解氧化铝颗粒,和(iv)湿法二氧化硅颗粒。

α氧化铝颗粒是指包含约50重量%或更多的氧化铝α多晶型体的氧化铝颗粒,所述多晶型体典型地在高温例如高于1400℃下形成。

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