[发明专利]包括具有底部氮化物衬垫和上氧化物衬垫的浅沟槽隔离(STI)区域的电子器件和相关方法

权利要求书

1.一种电子器件，包括：

衬底；

覆盖所述衬底的掩埋氧化物(BOX)层；

覆盖所述BOX层的至少一个半导体器件；以及

在所述衬底中并且与所述至少一个半导体器件相邻的至少一个浅沟槽隔离(STI)区域，所述至少一个STI区域与所述衬底限定侧壁表面并且包括：

对所述侧壁表面的底部分加衬的氮化物层，

对所述侧壁表面的在所述底部分以上的顶部分加衬的氧化物层，以及

在所述氮化物层和所述氧化物层内的绝缘材料。

2.根据权利要求1所述的电子器件，其中所述氮化物层包括氮化硅(SiN)层。

3.根据权利要求1所述的电子器件，其中所述氧化物层包括氧化铪(HfO₂)层。

4.根据权利要求1所述的电子器件，其中所述氧化物层在所述BOX层以上延伸。

5.根据权利要求1所述的电子器件，其中所述氮化物层在所述BOX层以下终止。

6.根据权利要求1所述的电子器件，其中所述绝缘材料不同于所述氮化物层和所述氧化物层。

7.根据权利要求1所述的电子器件，其中所述至少一个STI区域的上表面竖直地在所述BOX层以上。

8.根据权利要求1所述的电子器件，其中所述绝缘材料包括二氧化硅(SiO₂)。

9.根据权利要求1所述的电子器件，其中所述至少一个半导体器件包括至少一个场效应晶体管(FET)。

10.根据权利要求9所述的电子器件，其中所述至少一个FET包括凸起的源极区域和漏极区域和在所述凸起的源极区域与漏极区域之间的沟道区域。

11.根据权利要求1所述的电子器件，其中所述至少一个STI区域在所述至少一个半导体器件的相对侧上包括多个STI区域。

12.一种电子器件，包括：

衬底；

覆盖所述衬底的掩埋氧化物(BOX)层；

覆盖所述BOX层的至少一个半导体器件；以及

在所述衬底中并且与所述至少一个半导体器件相邻的至少一个浅沟槽隔离(STI)区域，所述至少一个STI区域与所述衬底限定侧壁表面并且包括：

对所述侧壁表面的底部分加衬的氮化硅(SiN)层，

对所述侧壁表面的在所述底部分以上的顶部分加衬的氧化铪(HfO₂)层，以及

在所述SiN层和所述HfO₂层内的绝缘材料。

13.根据权利要求12所述的电子器件，其中所述HfO₂层在所述BOX层以上延伸。

14.根据权利要求12所述的电子器件，其中所述SiN层在所述BOX层以下终止。

15.根据权利要求12所述的电子器件，其中所述绝缘材料不同于所述氮化物层和所述氧化物层。

16.一种用于制作电子器件的方法，包括：

通过至少以下操作在衬底中形成至少一个浅沟槽隔离(STI)区域，所述衬底具有覆盖所述衬底的掩埋氧化物(BOX)层：

在所述衬底中形成沟槽从而与所述衬底限定侧壁表面，

用氮化物层对所述侧壁表面的底部分加衬，

用氧化物层对所述侧壁表面的在所述底部分以上的顶部分加衬，并且

在所述氮化物层和所述氧化物层内沉积绝缘材料；并且形成与所述至少一个STI区域相邻的覆盖所述BOX层的至少一个半导体器件。

17.根据权利要求16所述的方法，其中对所述侧壁表面的所述底部分加衬还包括：

用所述氮化物层对所述沟槽加衬；并且

向下蚀刻掉所述氮化物层至所述底部分。

18.根据权利要求16所述的方法，还包括在用所述氧化物层对所述侧壁表面的所述顶部分加衬之前执行化学机械平坦化(CMP)。

19.根据权利要求16所述的方法，其中所述氮化物层包括氮化硅(SiN)层。

20.根据权利要求16所述的方法，其中所述氧化物层包括氧化铪(HfO₂)层。