[发明专利]磁记录介质和磁记录再生装置有效

专利信息
申请号: 201310376361.1 申请日: 2013-08-26
公开(公告)号: CN103680524B 公开(公告)日: 2017-04-12
发明(设计)人: 丹羽和也;神边哲也;村上雄二;张磊 申请(专利权)人: 昭和电工株式会社
主分类号: G11B5/65 分类号: G11B5/65;G11B5/73
代理公司: 北京市中咨律师事务所11247 代理人: 段承恩,杨光军
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 记录 介质 再生 装置
【权利要求书】:

1.一种磁记录介质,其特征在于,具有:

在基板上形成的基底层;和

在所述基底层上形成的以具有L10型晶体结构的合金为主成分的磁性层,

所述基底层,从基板侧起依次具有:

晶格常数a为2.87埃≤a<3.04埃的第一基底层;

晶格常数a为3.04埃≤a<3.18埃的BCC结构的第二基底层;

晶格常数a为3.18埃≤a<3.31埃的BCC结构的第三基底层;和

具有NaCl型晶体结构的上层基底层,

所述第一基底层具有B2结构、或具有以Cr为主成分的BCC结构,

所述磁记录介质是采用热辅助磁记录方式或微波辅助磁记录方式记录信息的磁记录介质。

2.根据权利要求1所述的磁记录介质,其特征在于,所述第一基底层包含Cr且具有BCC结构,或者,含有Cr作为主成分且包含Ti、V、Mo、W、Nb、Ta、Mn、Ru之中的至少1种并具有BCC结构。

3.根据权利要求1所述的磁记录介质,其特征在于,所述第一基底层含有NiAl或RuAl并具有B2结构。

4.根据权利要求1所述的磁记录介质,其特征在于,所述第二和第三基底层,包含Cr、Mo、Nb、Ta、V、W或W,或者,以Cr、Mo、Nb、Ta、V或W为主成分包含Cr、Ti、V、Mo、W、Nb、Ta、Mn、Ru之中的至少1种。

5.根据权利要求1所述的磁记录介质,其特征在于,所述磁性层具有L10型晶体结构,以FePt合金或CoPt合金为主成分,并且,含有选自SiO2、TiO2、Cr2O3、Al2O3、Ta2O5、ZrO2、Y2O3、CeO2、MnO、TiO、ZnO、C之中的至少1种。

6.一种磁记录再生装置,具备:

权利要求1~5的任一项所述的磁记录介质;

将所述磁记录介质沿记录方向驱动的介质驱动部;

磁头,其具有对所述磁记录介质进行加热的激光发生部、将从所述激光发生部发生的激光向顶端部引导的波导和设置于所述顶端部的近场发生元件,且进行针对所述磁记录介质的记录动作和再生动作;

使所述磁头相对于所述磁记录介质相对移动的磁头移动部;和

进行向所述磁头的信号输入和来自所述磁头的输出信号的再生的记录再生信号处理系统。

7.一种磁记录再生装置,具备:

权利要求1~5的任一项所述的磁记录介质;

将所述磁记录介质沿记录方向驱动的介质驱动部;

对所述磁记录介质照射微波的元件;

进行针对所述磁记录介质的记录动作和再生动作的磁头;

使所述磁头相对于所述磁记录介质相对移动的磁头移动部;和

进行向所述磁头的信号输入和来自所述磁头的输出信号的再生的记录再生信号处理系统。

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