[发明专利]一种晶硅太阳能电池多层膜制备工艺

权利要求书

1.一种晶硅太阳能电池多层减反射膜制备工艺，其特征在于，在硅片的受光面设置两层以上减反射膜。

2. 根据权利要求1所述的一种晶硅太阳能电池多层减反射膜制备工艺，其特征在于，在硅片的受光面设置三层减反射膜。

3. 根据权利要求2所述的一种晶硅太阳能电池多层减反射膜制备工艺，其特征在于，所述减反射膜为SiNx：H减反射膜。

4. 根据权利要求2所述的一种晶硅太阳能电池多层减反射膜制备工艺，其特征在于，第一层减反射膜制备：清洗后的硅片放入管式镀膜设备中，（1）在温度400-500℃条件下，经过检漏后通入2-8slm NH3，然后打开等离子源进行NH₃电离，为下一步反应做准备；（2）通入0.5-4slm SiH₄，SiH₄气体通入时间60-500s，形成膜厚5-50nm，折射率1.9-2.4的 SiNx：H减反射膜；（3）关闭等离子源以及SiH₄和NH₃的通入。

5. 根据权利要求4所述的一种晶硅太阳能电池多层减反射膜制备工艺，其特征在于，第二层减反射膜制备：（1）在温度400-500℃条件下，通入4-10slm NH₃，然后打开等离子源进行NH₃电离，为下一步反应做准备；（2）通入0.1-3slm SiH4，SiH4气体通入时间400-2000s，形成膜厚40-150nm，折射率1.8-2.0的 SiNx：H减反射膜；（3）关闭等离子源以及SiH₄和NH₃的通入。

6. 根据权利要求5所述的一种晶硅太阳能电池多层减反射膜制备工艺，其特征在于，第三层减反射膜制备：（1）在温度400-500℃条件下，通入5-12slm NH₃，然后打开等离子源进行NH₃电离，为下一步反应做准备；（2）通入0.05-2slm SiH₄，SiH₄气体通入时间0-2000s，形成膜厚0-150nm，折射率1.7-1.9的 SiNx：H减反射膜；（3）关闭等离子源以及SiH₄和NH₃的通入，降温后，取出镀膜后的硅片，该减反射膜的制备工艺完成。

7. 根据权利要求1所述的一种晶硅太阳能电池多层减反射膜制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：

第一层减反射膜制备：清洗后的硅片放入管式镀膜设备中，（1）在温度440℃条件下，经过检漏后通入3.2slm NH₃，然后打开等离子源进行NH₃电离，为下一步反应做准备；（2）通入0.9slm SiH₄，SiH₄气体通入时间100s，形成膜厚9nm，折射率2.35的 SiNx：H减反射膜；（3）关闭等离子源以及SiH₄和NH₃的通入；

第二层减反射膜制备：（1）在温度450℃条件下，通入5.3slm NH₃，然后打开等离子源进行NH₃电离，为下一步反应做准备；（2）通入0.25slm SiH₄，SiH₄气体通入时间200s，形成膜厚20nm，折射率1.9的 SiNx：H减反射膜；（3）关闭等离子源以及SiH₄和NH₃的通入；

第三层减反射膜制备：（1）在温度460℃条件下，通入6slm NH₃，然后打开等离子源进行NH₃电离，为下一步反应做准备；（2）通入0.2slm SiH₄，SiH₄气体通入时间1000s，形成膜厚75nm，折射率1.7的 SiNx：H减反射膜；（3）关闭等离子源以及SiH₄和NH₃的通入，降温后，取出镀膜后的硅片，该减反射膜的制备工艺完成。

8. 根据权利要求1所述的一种晶硅太阳能电池多层减反射膜制备工艺，其特征在于，具体步骤为：

第一层减反射膜制备：清洗后的硅片放入管式镀膜设备中，（1）在温度450℃条件下，经过检漏后通入3.3slm NH₃，然后打开等离子源进行NH₃电离，为下一步反应做准备；（2）通入0.8slm SiH₄，SiH₄气体通入时间125s，形成膜厚10nm，折射率2.3的 SiNx：H减反射膜；（3）关闭等离子源以及SiH₄和NH₃的通入；

第二层减反射膜制备：（1）在温度450℃条件下，通入5.3slm NH3，然后打开等离子源进行NH₃电离，为下一步反应做准备；（2）通入0.25slm SiH₄，SiH₄气体通入时间1030s，形成膜厚80nm，折射率1.9的 SiNx：H减反射膜；（3）关闭等离子源以及SiH₄和NH₃的通入，降温后，取出镀膜后的硅片，该减反射膜的制备工艺完成。