[发明专利]一种有机发光显示装置及其制备方法

权利要求书

1.一种有机发光显示装置，包括：

基板(1)；

薄膜晶体管，包括半导体层(33)，设置在半导体层(33)两端的漏极(34)和源极(35)，垂直方向上设置于所述半导体层(33)上方或下方的栅极(31)；

钝化层(36)，设置薄膜晶体管上；

有机发光二极管，设置在所述钝化层(36)上，包括第一电极(41)、有机层(42)以及第二电极(43)；

所述钝化层(36)中设置有导通所述第一电极(41)与所述源极(35)、所述漏极(34)之一的通孔，所述第二电极(43)上还设置有封装层(5)；

其特征在于，

所述半导体层(33)为金属氧化物半导体层，所述钝化层(36)上直接设置有紫外线阻挡层(7)，所述紫外线阻挡层(7)与所述第一电极(41)平滑相接，且其厚度与所述第一电极(41)相同；直接设置于所述第一电极(41)上的所述有机层(42)平缓延伸覆盖在所述紫外线阻挡层(7)上；

所述第二电极(43)和所述封装层(5)之间还设置有光取出层(6)，所述光取出层(6)对波长小于420nm的光透过率小于20％，对波长大于或等于420nm的光透过率大于90％，且所述光取出层(6)的折射率大于2。

2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述紫外线阻挡层(7)对波长小于420nm的光透过率小于20％，对波长大于或等于420nm的光透过率大于90％。

3.根据权利要求1或2所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述紫外线阻挡层(7)远离基板(1)的表面的表面平整度小于10nm。

4.根据权利要求1或2所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述紫外线阻挡层(7)包括ZrO₂层、TiO₂层、ZnO层、ZnS层或CeO₂层中的一种或多种的组合。

5.根据权利要求1或2所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述金属氧化物半导体包括IGZO、IZO、ZTO、Al-IZO、N-IZO中的一种。

6.根据权利要求1或2所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述光取出层(6)包括ZrO₂、TiO₂、ZnO、ZnS或CeO₂层中的一种或多种的组合。

7.根据权利要求1或2所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述第二电极(43)为Ag层和/或Mg：Ag合金层。

8.根据权利要求1或2所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述第二电极(43)厚度为10～80nm。

9.根据权利要求1或2所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述基板(1)上还直接设置有缓冲层(2)。

10.根据权利要求9所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述缓冲层(2)为SiOx层或SiNx层。

11.根据权利要求1或2所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述有机层(42)包括发光层。

12.一种有机发光显示装置的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1、形成包括薄膜晶体管区域的基板(1)，并在基板(1)上形成金属氧化物半导体薄膜晶体管；

S2、在基板(1)上形成覆盖所述薄膜晶体管的钝化层(36)；

S3、所述钝化层(36)划分为相邻的像素区域和薄膜晶体管区域，在所述钝化层(36)上所述薄膜晶体管区域设置紫外线阻挡层(7)，其厚度与第一电极(41)相同；

S4、在所述钝化层(36)上所述像素区域上形成第一电极(41)，所述第一电极(41)与所述紫外线阻挡层(7)平滑相接；

S5、在所述第一电极(41)上直接形成有机层(42)，所述有机层(42)包括发光层，所述有机层(42)平缓延伸覆盖在所述紫外线阻挡层(7)上；S6、在所述有机层(42)上形成第二电极(43)；

S7、在所述第二电极(43)上形成光取出层(6)，所述光取出层(6)对波长小于420nm的光透过率小于20％，对波长大于或等于420nm的光透过率大于90％且具有高折射率，所述折射率大于2；

S8、在所述光取出层(6)上设置封装层(5)，对所述有机发光显示装置进行封装。