[发明专利]一种硅压阻式压力传感器芯片

权利要求书

1.一种硅压阻式压力传感器芯片,包括:硅压阻式压力传感器基本体、隔离层、增稳层、金属层、接触孔、硅衬底重掺杂区，硅压阻式压力传感器基本体由压敏电阻、内部互连、压力感应膜片、焊盘、硅基体、二氧化硅埋层组成,其特征在于由SOI硅片制作的硅压阻式压力传感器芯片表面依次沉积隔离层和增稳层，在压敏电阻下方埋有二氧化硅层，由二氧化硅或氮化硅或二者组成复合层的隔离层覆盖在硅压阻式压力传感器基本体上，隔离层上刻蚀有接触孔，接触孔的位置处于硅衬底重掺杂区上方，接触孔内填充有金属，该金属与下方的硅衬底上重掺杂区进行欧姆接触，并与芯片表面的金属层相连，经化学气相沉积、蒸发、溅射方法制作的增稳层设置在隔离层上，由扩散掺杂或离子注入掺杂的方式在SOI硅片的表面衬底上制作的硅衬底重掺杂区为低阻区域，增稳层与接触孔内的金属经金属层实现电气连接，金属层上形成芯片的最高电位点，即传感器的供电焊盘。

2.根据权利要求1所述的硅压阻式压力传感器芯片，其特征在于所述隔离层通过热氧生长制作或经化学气相沉积的方法制作。

3.根据权利要求1所述的硅压阻式压力传感器芯片，其特征在于所述增稳层厚度在20纳米到500纳米之间，增稳层的覆盖区域包括硅压阻式压力传感器的压敏电阻区域及其内部电气互连区域。

4.根据权利要求1所述的硅压阻式压力传感器芯片，其特征在于所述增稳层由与单晶硅热膨胀系数相近并具有一定导电性能的材料制作而成。